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1N5241B-TAP是DIODE ZENER 11V 500MW DO35，包括Automotive、AEC-Q101系列，它们设计为与磁带盒（TB）替代包装一起使用，单位重量如数据表注释所示，用于0.004409盎司，具有通孔、高度设计为1.7毫米，以及3.9毫米长度等安装样式特征，该装置也可以用作1.7mm宽。此外，包装箱为DO-204AH、DO-35、轴向，其工作温度范围为175°C，设备具有安装型通孔，供应商设备包装为DO-35，配置为单一，公差为±5%，最大功率为500mW，电压齐纳标称Vz为11V，阻抗最大值Zzt为22欧姆，电流反向泄漏Vr为2μa@8.4V，正向电压Vf Max If为1.1V@200mA，Pd功耗为500mW，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vz齐纳电压为11 V，电压容差为5%，电压温度系数为0.076%/K，齐纳电流为20 mA，Zz齐纳阻抗为22欧姆，Ir反向电流为2uA。
1N5241B-TP是DIODE ZENER 11V 500MW DO35，包括22欧姆Zz齐纳阻抗，它们设计为在2毫米宽的情况下工作，Vz齐纳电压如数据表注释所示，用于11 V，提供电压齐纳标称Vz特性，如11V，电压容差设计为工作在20%，以及0.076%/C电压温度系数，该装置也可作为1.1V@200mA电压正向Vf Max If使用。此外，单位重量为0.004833 oz，该装置的公差为±5%，该装置具有DO-35供应商装置包装，系列为1N524，最大功率为500mW，Pd功耗为500 mW，包装为切割胶带（CT）交替包装，包装箱为DO-204AH，DO-35，轴向，它的工作温度范围为-55°C~150°C，安装类型为通孔，安装类型是通孔，最小工作温度范围-55°C，最大工作温度范围+150 C，长度为4.2 mm，Ir反向电流为2 uA，阻抗最大Zzt为22欧姆，高度为2 mm，电流反向泄漏Vr为2μA@8.4V，配置为单一。
带电路图的1N5241BTA，包括2μA@8V电流反向泄漏Vr，其设计为在22欧姆阻抗最大Zzt下工作，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，其工作温度范围为200°C，包装箱设计用于DO-204AH、DO-35、轴向以及磁带和卷轴（TR）包装，该设备也可作为500mW最大功率使用。此外，供应商设备包为DO-35，该设备的容差为±5%，该设备具有1.1V@200mA的正向电压Vf Max If，电压齐纳标称Vz为11V。
