9icnet为您提供由EIC半导体公司设计和生产的1N4749AT/R，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N4749AT/R参考价格$0.04000。EIC半导体公司1N4749AT/R包装/规格：二极管ZENER 24V 1W DO41。您可以下载1N4749AT/R英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N4749A-T是DIODE ZENER 1.3W DO41，包括Automotive AEC-Q101系列，它们设计用于胶带和卷轴（TR）包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.010582盎司，具有通孔、高度设计为2.71 mm，以及4.7 mm长的安装样式特征，该设备也可以用作2.71 mm宽。此外，包装箱为DO-204AL、DO-41、轴向，其工作温度范围为175°C，设备具有安装型通孔，供应商设备包装为DO-41，配置为单一，公差为±5%，功率最大值为1.3W，电压齐纳标称Vz为24V，阻抗最大值Zzt为750欧姆，电流反向泄漏Vr为5μa@18.2V，正向电压Vf Max If为1.2V@200mA，Pd功耗为1W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vz齐纳电压为24 V，电压容差为5%，电压温度系数为0.078%/C，Zz齐纳阻抗为25欧姆，Ir反向电流为5 uA。
1N4749APE3/TR12，带有用户指南，包括24V电压齐纳标称Vz，它们设计为在1.2V@200mA电压正向Vf最大值下工作。如果数据表备注中显示了公差，公差为±5%，提供了供应商设备包功能，如DO-204AL（DO-41），功率最大值设计为1W，以及磁带和卷轴（TR）替代包装，该装置也可作为DO-204AL、DO-41、轴向封装外壳使用，其工作温度范围为-65°C~150°C，该装置为通孔安装型，该装置具有25欧姆的阻抗最大Zzt，电流反向泄漏Vr为5μa@18.2V。
1N4749APE3/TR8，带电路图，包括5μA@18.2V电流反向泄漏Vr，设计为在25欧姆阻抗最大Zzt下工作，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，其工作温度范围为-65°C~150°C，包装箱设计为在DO-204AL、DO-41、轴向、，除了磁带和卷轴（TR）交替包装包装外，该设备还可作为1W最大功率使用。此外，供应商设备包为DO-204AL（DO-41），该设备的容差为±5%，该设备具有1.2V@200mA的正向电压Vf Max If，电压齐纳标称Vz为24V。
1N4749AP/TR8，带EDA/CAD型号，包括通孔安装型，设计用于DO-204AL、DO-41、轴向包装箱，供应商设备包装如数据表注释所示，用于DO-204A L（DO-41），提供切割胶带（CT）替代包装等包装功能，其工作温度范围为-65°C~150°C，以及5μA@18.2V电流反向泄漏Vr，该器件也可以用作25欧姆阻抗最大Zzt。此外，电压齐纳标称Vz为24V，该设备的最大功率为1W，该设备具有1.2V@200mA的正向电压Vf Max If，容差为±5%。
