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BZX55C2V7-TAP是DIODE ZENER 2.7V 500MW DO35，包括Automotive、AEC-Q101系列，它们设计用于磁带盒（TB）包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.004833盎司，具有通孔、高度设计为1.7毫米，以及3.9毫米长的安装方式，该设备也可以用作1.7毫米宽。此外，包装箱为DO-204AH、DO-35、轴向，其工作温度范围为-65°C~175°C，设备具有安装型通孔，供应商设备包装为DO-35，配置为单一，公差为±5%，最大功率为500mW，电压齐纳标称Vz为2.7V，阻抗最大Zzt为85欧姆，电流反向泄漏Vr为10μA@1V，电压正向Vf Max If为1.5V@200mA，Pd功耗为500mW，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vz齐纳电压为2.7V，电压容差为5%，电压温度系数为-0.075%/K，Zz齐纳阻抗为85欧姆，Ir反向电流为10uA。
BZX55C2V7-TR是DIODE ZENER 2.7V 500MW DO35，包括85欧姆Zz齐纳阻抗，其设计工作宽度为1.7 mm，Vz齐纳电压如数据表注释所示，用于2.7 V，提供电压齐纳标称Vz特性，如2.7V，电压容差设计工作在5%，以及-0.075%/K电压温度系数，该设备也可以用作1.5V@200mA电压正向Vf Max If。此外，单位重量为0.004833 oz，该设备采用DO-35供应商设备包提供，该设备的最大功率为500mW，Pd功耗为500 mW，包装为切割胶带（CT）交替包装，包装箱为DO-204AH，DO-35，轴向，其工作温度范围为175°C，安装类型为通孔，安装类型为穿孔，最小工作温度范围为-65℃，最大工作温度范围+175℃，长度为3.9 mm，Ir反向电流为10 uA，阻抗最大值Zzt为85 Ohm，高度为1.7 mm，电流反向泄漏Vr为10μA@1V，配置为单一。
BZX55C2V7-TAP 64，带有VISHAY制造的电路图。BZX55C2V7-TAP 64采用DO-35封装，是IC芯片的一部分。
