9icnet为您提供由onsemi设计和生产的MMBZ5225BLT1G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MMBZ5225BLT1G参考价格为0.17000美元。onsemi MMBZ5225BLT1G包装/规格：DIODE ZENER 3V 225MW SOT23-3。您可以下载MMBZ5225BLT1G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，如MMBZ5225BLT1G价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
MMBZ5225B-HE3-08，带引脚细节，包括汽车、AEC-Q101系列，它们设计用于小信号齐纳二极管产品，包装如数据表注释所示，用于磁带和卷轴（TR）替代包装，提供单位重量功能，如0.000310盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及to-236-3、SC-59、SOT-23-3包装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C。此外，安装类型为表面安装，该设备在SOT-23-3供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，公差为±5%，功率最大值为225mW，电压齐纳标称Vz为3V，阻抗最大值Zzt为30欧姆，电流反向泄漏Vr为50μa@1V，Pd功耗为225 mW，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vz齐纳电压为3 V，电压容差为5%，电压温度系数为-0.075%/C，Zz齐纳阻抗为30欧姆，Ir反向电流为50 uA。
MMBZ5225B-HE3-18，带有用户指南，包括30欧姆Zz齐纳阻抗，它们设计为在3 V Vz齐纳电压下工作，电压齐纳标称Vz如数据表注释所示，用于3V，提供5%的电压容差特性，电压温度系数设计为在-0.075%/C下工作，以及0.000310盎司的单位重量，该装置也可用作±5%公差。此外，供应商设备包装为SOT-23-3，该设备为汽车AEC-Q101系列，该设备具有小信号齐纳二极管产品，最大功率为225mW，Pd功耗为225mW，包装为胶带和卷轴（TR）交替包装，包装箱为TO-236-3、SC-59、SOT-23-1，其工作温度范围为-55°C~150°C，安装类型为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Ir反向电流为50 uA，阻抗最大Zzt为30 Ohm，反向电流Vr为50μA@1V，配置为单一。
MMBZ5225BLT1是DIODE ZENER 3V 225MW SOT23-3，包括50μA@1V电流反向泄漏Vr，设计用于29欧姆阻抗最大Zzt的操作，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C，包装箱设计用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3以及切割胶带（CT）包装，该设备也可作为225mW最大功率使用。此外，供应商设备包为SOT-23-3（TO-236），该设备的容差为±5%，该设备具有900mV@10mA的正向电压Vf Max If，电压齐纳标称Vz为3V。
