特色
- 小型模具类型。
- 高可靠性。
PDZVTFTR9.1B
- 描述:标称齐纳电压 (Vz): 9.1 V 最大功率: 1 W 公差: ±6.04% 供应商设备包装: PMDTM 工作温度: 150摄氏度（TJ）
- 品牌: 罗姆 (Rohm)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 2.96958 | 2.96958 |
| 10+ | 2.38291 | 23.82914 |
| 100+ | 1.62168 | 162.16850 |
| 500+ | 1.21608 | 608.04150 |
| 1000+ | 0.91209 | 912.09800 |
| 3000+ | 0.83604 | 2508.14400 |
| 6000+ | 0.78542 | 4712.52000 |
| 15000+ | 0.73472 | 11020.80000 |
| 30000+ | 0.69097 | 20729.19000 |
- 库存: 1208
- 单价: ¥2.96959
-
数量:
- +
- 总计: ¥2.97
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 安装类别 表面安装
- 最大阻抗值 (Zzt) 6 Ohms
- 最大正向压降 (Vf) @ 正向工作电流 (If) -
- 制造厂商 罗姆 (Rohm)
- 最大功率 1 W
- 标称齐纳电压 (Vz) 9.1 V
- 工作温度 150摄氏度（TJ）
- 公差 ±6.04%
- 包装/外壳 钠-128
- 供应商设备包装 PMDTM
- 反向漏电流 @ 直流反向电压 20A@6伏
PDZVTFTR9.1B 产品详情
ROHM Semiconductor PDZV系列齐纳二极管非常可靠，是电压调节应用的理想选择。PDZV系列二极管提供2.3V至43V齐纳电压范围和1000mW的功耗。这些PDZV齐纳二极管被构造在硅外延平面中。PDZV器件采用小型功率模具SOD-128封装。
PDZVTFTR9.1B 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | PDZ12B,115 | 恩智浦 (NXP) | DIODE ZENER 12V 400MW SOD323 | ¥0.14486 |
 | PDZ36B,115 | 恩智浦 (NXP) | DIODE ZENER 36V 400MW SOD323 | ¥0.14486 |
 | PDZ33B,115 | 恩智浦 (NXP) | DIODE ZENER 33V 400MW SOD323 | ¥0.14486 |
 | PDZ4.3B,115 | 恩智浦 (NXP) | DIODE ZENER 4.3V 400MW SOD323 | ¥0.14486 |
 | PDZ4.7B,115 | 恩智浦 (NXP) | DIODE ZENER 4.7V 400MW SOD323 | ¥0.14486 |
 | PDZ27B,115 | 恩智浦 (NXP) | DIODE ZENER 27V 400MW SOD323 | ¥0.14486 |
 | PDZ2.4B,115 | 安世 (Nexperia) | 标称齐纳电压 (Vz): 2.4伏 最大功率: 400毫瓦 公差: ±2% 供应商设备包装: SOD-323 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥0.26799 |
 | PDZVTFTR6.2B | 罗姆 (Rohm) | 标称齐纳电压 (Vz): 6.2 V 最大功率: 1 W 公差: ±6.45% 供应商设备包装: PMDTM 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥2.96959 |
 | PDZ4.7BGW115 | 安世半导体 (Nexperia) | NOW NEXPERIA PDZ4.7BGW - ZENER D | ¥0.14486 |
 | PDZVTR5.6A | 罗姆 (Rohm) | 标称齐纳电压 (Vz): 5.65 V 最大功率: 1 W 公差: ±6.19% 供应商设备包装: PMDTM 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥3.83874 |
罗姆 (Rohm)
ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产...
