9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BZT52C3V6-E3-18，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BZT52C3V6-E3-18参考价格为0.29000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BZT52C3V6-E3-18封装/规格：DIODE ZENER 3.6V 410MW SOD123。您可以下载BZT52C3V6-E3-18英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BZT52C3V3T-7是DIODE ZENER 3.3V 300MW SOD523，包括BZT52C系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000035盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，高度设计为0.7 mm，长度1.3 mm，设备也可以用作0.9 mm宽度。此外，封装外壳为SC-79、SOD-523，其工作温度范围为-65°C~150°C，装置具有安装型表面安装，供应商装置封装为SOD-523，配置为单一，公差为±6%，最大功率为300mW，电压齐纳标称Vz为3.3V，阻抗最大Zzt为95欧姆，电流反向泄漏Vr为5μa@1V，正向电压Vf Max If为900mV@10mA，Pd功耗为150mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，Vz齐纳电压为3.3 V，电压容差为6%，电压温度系数为-1.75 mV/C，齐纳电流为5 mA，Zz齐纳阻抗为95欧姆，Ir反向电流为5uA。
BZT52C3V3-TP是DIODE ZENER 3.3V 500MW SOD123，包括95欧姆Zz齐纳阻抗，设计用于1.8毫米宽，数据表中显示了用于3.3 V的Vz齐纳电压，提供电压齐纳标称Vz特性，如3.3V，电压容差设计为6%，以及-1.75 mV/C电压温度系数，该设备也可以用作900mV@10mA电压正向Vf Max If。此外，单位重量为0.001058 oz，该设备的公差为±6%，该设备具有供应商设备包的SOD-123，系列为BZT52C3，最大功率为500mW，Pd功耗为500mW；包装为Digi-ReelR替代包装，包装箱为SOD-123，其工作温度范围为-65°C~150°C，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围-65°C，最大工作温度范围+175°C，长度为2.85 mm，Ir反向电流为5 uA，阻抗最大Zzt为95 Ohm，高度为1.2 mm，电流反向泄漏Vr为5μA@1V，配置为单一。
BZT52C3V3T-TP是DIODE ZENER 3.3V 500MW SOD523，包括单一配置，其设计工作高度为0.7mm，阻抗最大值Zzt如数据表注释所示，用于95欧姆，提供Ir反向电流特性，如5 uA，长度设计工作在1.3mm，其最大工作温度范围为+175 C，它的最低工作温度范围为-65℃。此外，安装类型为表面安装，该器件采用SMD/SMT安装方式，其工作温度范围在-65℃~150℃之间，包装箱为SC-79、SOD-523，包装为Digi-ReelR交替包装，Pd功耗为100 mW，最大功率为500mW，系列为BZT52C3，供应商设备包为SOD-523，公差为±2%，单位重量为0.000342 oz，电压温度系数为-1.75 mV/C，电压公差为6%，电压齐纳标称Vz为3.3V，Vz齐纳电压为3.3V、宽度为0.85 mm，Zz齐纳阻抗为95欧姆。
