9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BZX55B13-TAP，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BZX55B13-TAP参考价格为0.23000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BZX55B13-TAP封装/规格：DIODE ZENER 13V 500MW DO35。您可以下载BZX55B13-TAP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BZX55B12-TR是DIODE ZENER 12V 500MW DO35，包括汽车、AEC-Q101系列，它们设计为使用胶带和卷轴（TR）替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.004833盎司，提供安装类型功能，如通孔，高度设计为1.7 mm，长度3.9 mm，该装置也可以用作1.7mm宽。此外，包装箱为DO-204AH、DO-35、轴向，其工作温度范围为-65°C~175°C，设备具有安装型通孔，供应商设备包装为DO-35，配置单一，公差为±2%，最大功率为500mW，电压齐纳标称Vz为12V，阻抗最大Zzt为20欧姆，电流反向泄漏Vr为100nA@9.1V，电压正向Vf Max If为1.5V@200mA，Pd功耗为500mW，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vz齐纳电压为12V，电压容差为2%，电压温度系数为0.07%/K，Zz齐纳阻抗为20欧姆，Ir反向电流为100nA。
BZX55B12-TAP是DIODE ZENER 12V 500MW DO35，包括20欧姆Zz齐纳阻抗，其设计工作宽度为1.7毫米，Vz齐纳电压如数据表注释所示，用于12 V，提供电压齐纳标称Vz特性，如12V，电压容差设计工作在2%，以及0.07%/K电压温度系数，该设备也可以用作1.5V@200mA电压正向Vf Max If。此外，单位重量为0.004833 oz，该设备的公差为±2%，该设备具有DO-35供应商设备包，系列为汽车、AEC-Q101，最大功率为500mW，Pd功耗为500 mW，包装为磁带盒（TB）替代包装，包装箱为DO-204AH，DO-35，轴向，工作温度范围为-65°C~175°C，安装方式为通孔，安装类型为通孔；最小工作温度范围-65 C，最大工作温度范围+175 C，长度为3.9 mm，Ir反向电流为100 nA，阻抗最大Zzt为20 Ohm，高度为1.7 mm，并且电流反向泄漏Vr为100nA@9.1V，并且配置为单一。
BZX55B13是齐纳二极管齐纳500mW 13v，包括单配置，它们设计为轴向安装式，包装箱如数据表注释所示，用于DO-35-2，提供卷轴等包装功能，单位重量设计为0.004586盎司。
