9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的MMBZ5256B-E3-08,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。MMBZ5256B-E3-08参考价格为0.23000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division MMBZ5256B-E3-08包装/规格:DIODE ZENER 30V 225MW SOT23-3。您可以下载MMBZ5256B-E3-08英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的,您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系,如MMBZ5256B-E3-08价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系,并为您提供优质服务。
MMBZ5256B是DIODE ZENER 30V 350MW SOT23-3,包括Digi-ReelR替代包装包装,它们设计用于MMBZ5256B_NL零件别名,单位重量显示在数据表注释中,用于0.002116盎司,提供SMD/SMT等安装类型功能,高度设计为0.93 mm,长度2.92 mm,该装置也可以用作1.3mm宽。此外,包装箱为TO-236-3、SC-59、SOT-23-3,其工作温度范围为-55°C~150°C,设备为安装型表面安装,供应商设备包装为SOT-23-2,配置为单一,公差为±5%,最大功率为350mW,电压齐纳标称Vz为30V,阻抗最大Zzt为49欧姆,电流反向泄漏Vr为100nA@23V,正向电压Vf Max If为900mV@10mA,Pd功耗为350mW,其最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,Vz齐纳电压为30 V,电压容差为5%,齐纳电流为4.2 mA,Zz齐纳阻抗为49欧姆,Ir反向电流为100nA。
MMBZ5255ELT1是DIODE ZENER 28V 225MW SOT23-3,包括28V电压齐纳标称Vz,它们设计为在900mV@10mA电压正向Vf最大值下工作。如果数据表备注中显示了公差,公差为±5%,提供供应商设备包功能,如SOT-23-3(to-236),功率最大值设计为225MW,以及磁带和卷轴(TR)封装,该器件也可作为TO-236-3、SC-59、SOT-23-3封装盒使用,其工作温度范围为-55°C~150°C,该器件为表面安装型,该器件的阻抗最大值为44欧姆,电流反向泄漏Vr为100nA@21V。
MMBZ5255ELT1G是DIODE ZENER 28V 225MW SOT23-3,包括100nA@21V电流反向泄漏Vr,设计用于44欧姆阻抗最大Zzt的操作,安装类型如数据表注释所示,用于表面安装,其工作温度范围为-55°C ~ 150°C,包装箱设计用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3以及磁带和卷轴(TR)包装,该设备也可作为225mW最大功率使用。此外,供应商设备包为SOT-23-3(TO-236),该设备的容差为±5%,该设备具有900mV@10mA的正向电压Vf Max If,电压齐纳标称Vz为28V。