9icnet为您提供由Solid State股份有限公司设计和生产的1N3021B，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。1N3021B参考价格6.50000美元。固态股份有限公司1N3021B封装/规格：1瓦齐纳二极管D0-13。您可以下载1N3021B英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N3019B-1，带销细节，包括散装包装，设计用于DO-204AL、DO-41、轴向包装箱，其工作温度范围为-55°C ~175°C，提供安装类型的功能，如通孔，供应商设备包设计用于DO-20 4AL（DO-41），以及±5%的公差，设备也可用于1W功率最大值。此外，电压齐纳标称Vz为9.1V，该器件提供6欧姆阻抗最大Zzt，该器件具有25μa@6.9V电流反向泄漏Vr，电压正向Vf Max If为1.2V@200mA。
1N3020B-1是DIODE ZENER 10V 1W DO204AL，包括10V电压齐纳标称Vz，它们设计为在1.2V@200mA电压正向Vf最大值下工作。如果数据表备注中显示了公差，公差为±5%，提供了供应商设备包功能，如DO-204AL（DO-41），功率最大值设计为1W，以及散装包装，该设备也可以用作DO-204AL，DO-41，轴向封装外壳，其工作温度范围为-55°C~175°C，该设备为通孔安装型，该设备具有7欧姆的阻抗最大Zzt，电流反向泄漏Vr为25μa@7.6V。
1N3019BUR-1是DIODE ZENER 9.1V 1W DO213AB，包括25μA@6.9V电流反向泄漏Vr，它们设计为在6欧姆阻抗最大Zzt下工作，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，其工作温度范围为-55°C~175°C，包装箱设计为在DO-213AB、MELF以及散装包装中工作，该设备也可作为1W最大功率使用。此外，供应商设备包为DO-213AB，该设备的容差为±5%，该设备具有1.2V@200mA的正向电压Vf Max If，电压齐纳标称Vz为9.1V。
1N3020BUR-1是DIODE ZENER 10V 1W DO213AB，包括表面安装型，它们设计用于DO-213AB、MELF封装盒，数据表注释中显示了用于DO-213A B的供应商设备包，该DO-213AA具有散装、阻抗最大Zzt设计为7欧姆工作，其工作温度范围为-55°C~175°C，该器件还可以用作25μA@7.6V电流反向泄漏Vr。此外，功率最大值为1W，器件提供10V电压齐纳标称Vz，器件具有1.2V@200mA电压正向Vf Max If，容差为±5%。
