9icnet为您提供由onsemi设计和生产的1N5231C,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。1N5231C价格参考值0.22000美元。onsemi 1N5231C包装/规格:DIODE ZENER 5.1V 500MW DO35。您可以下载1N5231C英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的,您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系,例如1N5231C价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系,并为您提供优质服务。
1N5231BTR是DIODE ZENER 5.1V 500MW DO35,包括切割胶带(CT)替代包装包装,它们设计用于1N5231BTR_NL零件别名,单位重量显示在数据表注释中,用于0.004445盎司,提供安装类型特征,如通孔,高度设计为1.91 mm,长度4.56 mm,该装置也可以用作1.91mm宽。此外,包装箱为DO-204AH、DO-35、轴向,其工作温度范围为-65°C~200°C,设备具有安装型通孔,供应商设备包装为DO-35,配置为单一,公差为±5%,最大功率为500mW,电压齐纳标称Vz为5.1V,阻抗最大Zzt为17欧姆,电流反向泄漏Vr为5μa@2V,正向电压Vf Max If为1.2V@200mA,Pd功耗为500mW,最大工作温度范围为+200 C,最小工作温度范围-65 C,Vz齐纳电压为5.1 V,电压容差为5%,电压温度系数为0.03%/C,齐纳电流为20 mA,Zz齐纳阻抗为17欧姆,Ir反向电流为5uA。
1N5231B-TR是DIODE ZENER 5.1V 500MW DO35,包括17欧姆Zz齐纳阻抗,它们设计用于20 mA齐纳电流,宽度如数据表注释所示,用于1.7 mm,提供Vz齐纳电压特性,如5.1 V,电压齐纳标称Vz设计用于5.1V,以及5%电压容差,该器件也可以用作0.03%/K电压温度系数。此外,正向电压Vf Max If为1.1V@200mA,装置的单位重量为0.004409 oz,装置的公差为±5%,供应商装置包装为DO-35,系列为1N52xxB,最大功率为500mW,Pd功耗为500 mW,包装为切割胶带(CT)交替包装,包装箱为DO-204AH、DO-35、轴向、,安装类型为通孔,安装类型为穿孔,最小工作温度范围为-65℃,最大工作温度范围+175℃,长度为3.9 mm,Ir反向电流为5 uA,阻抗最大值Zzt为17 Ohm,高度为1.7 mm,电流反向泄漏Vr为5μA@2V,配置为单一。
1N5231BUR-1是DIODE ZENER 5.1V 500MW DO213AA,包括5μA@2V电流反向泄漏Vr,它们设计为在17欧姆阻抗最大Zzt下工作,安装类型如数据表注释所示,用于表面安装,其工作温度范围为-65°C ~ 175°C,包装箱设计为在DO-213AA以及散装包装中工作,该设备也可作为500mW最大功率使用。此外,供应商设备包为DO-213AA,该设备的容差为±5%,该设备具有1.1V@200mA的正向电压Vf Max If,电压齐纳标称Vz为5.1V。