9icnet为您提供由EIC半导体公司设计和生产的1N4739AT/R，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N4739AT/R参考价格$0.08000。EIC半导体公司1N4739AT/R包装/规格：二极管ZENER 9.1V 1W DO41。您可以下载1N4739AT/R英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如1N4739AT/R价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
1N4739A-T是DIODE ZENER 1.3W DO41，包括Automotive AEC-Q101系列，它们设计用于胶带和卷轴（TR）包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.010582盎司，具有通孔、高度设计为2.71 mm，以及4.7 mm长的安装样式特征，该设备也可以用作2.71 mm宽。此外，包装箱为DO-204AL、DO-41、轴向，其工作温度范围为175°C，设备具有安装型通孔，供应商设备包装为DO-41，配置为单一，公差为±5%，功率最大值为1.3W，电压齐纳标称Vz为9.1V，阻抗最大值Zzt为700欧姆，电流反向泄漏Vr为10μa@7V，正向电压Vf Max If为1.2V@200mA，Pd功耗为1W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vz齐纳电压为9.1 V，电压容差为5%，电压温度系数为0.055%/C，Zz齐纳阻抗为5欧姆，Ir反向电流为10 uA。
1N4739APE3/TR12，带有用户指南，包括9.1V电压齐纳标称Vz，它们设计为在1.2V@200mA电压正向Vf最大值下工作。如果数据表注释中显示了公差，公差为±5%，提供了供应商设备包功能，如DO-204AL（DO-41），功率最大值设计为1W，以及磁带和卷轴（TR）替代包装，该设备也可以用作DO-204AL、DO-41、轴向封装外壳，其工作温度范围为-65°C~150°C，该设备为通孔安装型，该设备具有5欧姆的阻抗最大Zzt，电流反向泄漏Vr为10μa@7V。
1N4739APE3/TR8，带电路图，包括10μA@7V电流反向泄漏Vr，设计为在5欧姆阻抗最大Zzt下工作，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，其工作温度范围为-65°C~150°C，包装箱设计为在DO-204AL、DO-41、轴向以及磁带和卷轴（TR）交替包装中工作，该设备也可作为1W最大功率使用。此外，供应商设备包为DO-204AL（DO-41），该设备提供±5%容差，该设备具有1.2V@200mA的正向电压Vf Max If，电压齐纳标称Vz为9.1V。
1N4739AP/TR8，带EDA/CAD型号，包括通孔安装型，设计用于磁带和卷轴（TR）封装，数据表注释中显示了用于DO-204AL、DO-41、轴向的封装盒，提供供应商设备封装功能，如DO-204AL（DO-41），电压齐纳标称Vz设计用于9.1V，工作温度范围为-65°C~150°C，该器件也可以用作5欧姆阻抗最大Zzt。此外，最大功率为1W，该器件提供10μA@7V电流反向泄漏Vr，该器件具有1.2V@200mA电压正向Vf Max If，容差为±5%。
