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BZV55B11是齐纳二极管11伏500mW 2%,包括卷轴封装,它们设计为与L1部件别名一起工作,安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示,该器件具有1.5mm的高度特性,长度设计为3.51mm,以及1.5mm的宽度,该器件也可以用作LL-34-2封装盒。此外,该配置为单一配置,该设备提供500 mW Pd功耗,其最大工作温度范围为+200 C,最小工作温度范围是-65 C,Vz齐纳电压为11 V,电压容差为2%,Zz齐纳阻抗为20欧姆,Ir反向电流为100 nA。
BZV55-B11115是DIODE ZENER 11V 500MW SOD80C,包括11V电压齐纳标称Vz,它们设计为在900mV@10mA电压正向Vf最大值下工作。如果数据表备注中显示了公差,公差为±2%,提供供应商设备包功能,如SOD-80C,功率最大值设计为500MW,以及Digi-ReelR封装,该器件也可作为DO-213AC、MINI-MELF、SOD-80封装盒使用,其工作温度范围为-65°C~200°C,该器件为表面安装型,该器件的阻抗最大值为20欧姆,反向漏电Vr为100nA@8V。
BZV55-B11,带有NXP制造的电路图。BZV55-B11采用SOD-80C封装,是Diodes-Zener-Single的一部分。