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BZX384B33-G3-18，带引脚细节，包括BZX384-G系列，它们设计用于小信号齐纳二极管产品，包装如数据表注释所示，用于磁带和卷轴（TR）替代包装，提供零件别名功能，如BZX384B3 3-V-G-18，单位重量设计为0.000141盎司，以及SMD/SMT安装样式，该器件也可作为SC-76、SOD-323封装盒使用，其工作温度范围为-55°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有供应商器件封装的SOD-323，配置为单一，容差为±2%，最大功率为200mW，电压齐纳标称Vz为33V，阻抗最大Zzt为80欧姆，电流反向泄漏Vr为50nA@23.1V，Pd功耗为200mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vz齐纳电压为33 V，电压容差为2%，电压温度系数为1 mV/C，Zz齐纳阻抗为35欧姆，Ir反向电流为50 nA。
BZX384B33-HE3-08带用户指南，包括35欧姆Zz齐纳阻抗，它们设计用于33 V Vz齐纳电压，数据表注释中显示了用于33 V的电压齐纳标称Vz，提供2%的电压容差特性，电压温度系数设计用于1 mV/C，以及0.000152盎司的单位重量，该装置也可用作±2%公差。此外，供应商设备包装为SOD-323，该设备为BZX384系列，该设备具有产品小信号齐纳二极管，最大功率为200mW，Pd功耗为200mW；包装为胶带和卷轴（TR）交替包装，包装箱为SC-76，SOD-323；其工作温度范围为-55°C~150°C，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Ir反向电流为50 nA，阻抗最大值Zzt为80 Ohm，电流反向泄漏Vr为50 nA@23.1V，配置为单一。
BZX384B33-HE3-18带电路图，包括单一配置，设计用于在50 nA@23.1V电流反向泄漏Vr下工作，阻抗最大Zzt如数据表注释所示，用于80 Ohm，提供Ir反向电流特性，如50 nA，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该装置也可以用作表面安装型。此外，安装类型为SMD/SMT，其工作温度范围为-55°C~150°C，该器件具有SC-76、SOD-323封装盒，封装为胶带和卷轴（TR）交替封装，Pd功耗为200mW，最大功率为200mW；产品为小信号齐纳二极管，系列为BZX384，供应商器件封装为SOD-323，公差为±2%，单位重量为0.000152 oz，电压温度系数为1 mV/C，电压公差为2%，电压齐纳标称Vz为33V，Vz齐纳电压为33 V，Zz齐纳阻抗为35欧姆。
