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MMSZ5226C-G3-18,带引脚细节,包括汽车、AEC-Q101系列,它们设计用于小信号齐纳二极管产品,包装如数据表注释所示,用于磁带和卷轴(TR)替代包装,提供零件别名功能,如MMZ5226C-V-G-18,单位重量设计为0.000363盎司,以及SMD/SMT安装样式,该设备也可作为SOD-123封装盒使用,其工作温度范围为-55°C~150°C,该设备为表面安装型,该设备具有供应商设备封装的SOD-123,配置为单一,公差为±2%,最大功率为500mW,电压齐纳标称Vz为3.3V,阻抗最大Zzt为28欧姆,电流反向泄漏Vr为25μA@1V,Pd功耗为500 mW,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,Vz齐纳电压为3.3 V,电压容差为2%,电压温度系数为-0.07%/C,Zz齐纳阻抗为28欧姆,Ir反向电流为25 uA。
MMSZ5226C-HE3-18,带有用户指南,包括28欧姆Zz齐纳阻抗,它们设计用于3.3 V Vz齐纳电压,数据表注释中显示了用于3.3V的电压齐纳标称Vz,提供2%等电压容差特性,电压温度系数设计用于-0.07%/C,以及0.000363盎司单位重量,该装置也可用作±2%公差。此外,供应商设备包装为SOD-123,该设备提供汽车AEC-Q101系列,该设备具有小信号齐纳二极管产品,最大功率为500mW,Pd功耗为500mW。包装为胶带和卷轴(TR)交替包装,包装箱为SOD-13,其工作温度范围为-55°C~150°C,安装类型为SMD/SMT,安装类型为表面安装,最小工作温度范围为-55 C,最大工作温度范围+150 C,Ir反向电流为25 uA,阻抗最大Zzt为28 Ohm,电流反向泄漏Vr为25μA@1V,配置为单一。
MMSZ5226C-HE3-08,带有电路图,包括单组态,它们设计为在25μa@1V电流反向泄漏Vr下工作,阻抗最大Zzt如数据表注释所示,用于28欧姆,提供Ir反向电流功能,如25 uA,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,该装置也可以用作表面安装型。此外,安装类型为SMD/SMT,其工作温度范围为-55°C~150°C,该器件具有SOD-123封装盒,封装为磁带和卷轴(TR)交替封装,Pd功耗为500mW,最大功率为500mW;产品为小信号齐纳二极管,系列为汽车AEC-Q101,供应商器件封装为SOD-123,公差为±2%,单位重量为10300 mg,电压温度系数为-0.07%/C,电压公差为2%,电压齐纳标称Vz为3.3V,Vz齐纳电压为3.3 V,Zz齐纳阻抗为28欧姆。