齐纳电压公差为2%（BZX84B）和约5%（BZX84C）
表面安装外壳：SOT-23
特色
•硅平面功率齐纳二极管
•齐纳电压根据国际E 24标准分级。标准齐纳电压公差为±5%。将“C”替换为“B”，公差为±2%。其他电压公差和其他齐纳电压可根据要求提供。
•这些二极管也可用于其他外壳类型和其他配置，包括：型号为BZT52系列的SOD-123外壳，型号为AZ23系列的SOT-23外壳中的双齐纳二极管公共阳极配置，以及型号为DZ23系列的SOT-23外壳的双齐纳二极管公共阴极配置。
BZX84C6V2LT1G
- 描述:标称齐纳电压 (Vz): 6.2 V 最大功率: 225毫瓦 公差: ±6% 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -65摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 0.10936 | 0.10936 |
| 100+ | 0.10212 | 10.21250 |
| 1000+ | 0.09488 | 94.88200 |
- 库存: 58042
- 单价: ¥0.10937
-
数量:
- +
- 总计: ¥0.11
在线询价
温馨提示: 请填写以下信息，以便客户代表及时与您沟通联系。
规格参数
- 部件状态 可供货
- 最大正向压降 (Vf) @ 正向工作电流 (If) 900 mV @ 10 mA
- 安装类别 表面安装
- 包装/外壳 至236-3，SC-59，SOT-23-3
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 标称齐纳电压 (Vz) 6.2 V
- 最大功率 225毫瓦
- 供应商设备包装 SOT-23-3 (TO-236)
- 工作温度 -65摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 公差 ±6%
- 最大阻抗值 (Zzt) 10欧姆
- 反向漏电流 @ 直流反向电压 3.A@4伏
- 特点 -
BZX84C6V2LT1G 产品详情
齐纳二极管225mW，BZX84BxxxLT，BZX84CxxxLT系列，ON半导体
BZX84C6V2LT1G 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | BZX79-C43113 | 安世半导体 (Nexperia) | BZX79-C43113 | ¥0.07098 |
| BZX884-B12315/BKN | 安世半导体 (Nexperia) | BZX884-B12315/BKN | ¥0.36215 |
| BZX884-C22315 | 安世半导体 (Nexperia) | BZX884-C22315 | ¥0.31876 |
| BZX884-B75315 | 安世半导体 (Nexperia) | BZX884-B75315 | ¥0.16659 |
| BZX84J-B4V3115 | 安世半导体 (Nexperia) | BZX84J-B4V3115 | ¥0.19556 |
| BZX79-C24113 | 安世半导体 (Nexperia) | BZX79-C24113 | ¥0.0985 |
| BZX79-C11113 | 安世半导体 (Nexperia) | DIODE ZENER 11V 0.4W DO-204AH | ¥0.13182 |
| BZX79-C4V7113 | 安世半导体 (Nexperia) | DIODE ZENER 4.7V 0.4W DO-204AH | ¥0.13182 |
 | BZX84B16LT1 | 安盛美 (onsemi) | DIODE ZENER 225MW 16V SOT23 | ¥0.14486 |
| BZX79-C6V8,143 | 恩智浦 (NXP) | DIODE ZENER 6.8V 400MW ALF2 | ¥0.14486 |
BZX84C6V2LT1G所属分类：单齐纳二极管，BZX84C6V2LT1G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。BZX84C6V2LT1G价格参考￥0.109368，你可以下载 BZX84C6V2LT1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询BZX84C6V2LT1G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
