9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BZX55B8V2-TR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BZX55B8V2-TR参考价格为0.21000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BZX55B8V2-TR封装/规格：DIODE ZENER 8.2V 500MW DO35。您可以下载BZX55B8V2-TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BZX55B7V5-TR是DIODE ZENER 7.5V 500MW DO35，包括Automotive、AEC-Q101系列，它们设计为使用胶带和卷轴（TR）替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.004833盎司，具有通孔、高度设计为1.7 mm，以及3.9 mm长度的安装方式，该装置也可以用作1.7mm宽。此外，封装外壳为DO-204AH、DO-35、轴向，其工作温度范围为-65°C~175°C，设备具有安装型通孔，供应商设备封装为DO-35，配置为单一，公差为±2%，功率最大值为500mW，电压齐纳标称Vz为7.5V，阻抗最大值Zzt为7欧姆，电流反向泄漏Vr为100nA@5V，正向电压Vf Max If为1.5V@200mA，Pd功耗为500mW，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vz齐纳电压为7.5 V，电压容差为2%，电压温度系数为0.05%/K，Zz齐纳阻抗为7欧姆，Ir反向电流为100 nA。
BZX55B8V2-TAP是DIODE ZENER 8.2V 500MW DO35，包括7欧姆Zz齐纳阻抗，其设计工作宽度为1.7 mm，Vz齐纳电压如数据表注释所示，用于8.2 V，提供电压齐纳标称Vz特性，如8.2V，电压容差设计工作在2%，以及0.055%/K电压温度系数，该装置也可作为1.5V@200mA电压正向Vf Max If使用。此外，单位重量为0.004833 oz，该装置的公差为±2%，该装置具有DO-35供应商装置包装，系列为汽车、AEC-Q101，最大功率为500mW，Pd功耗为500 mW，包装为磁带盒（TB），包装箱为DO-204AH、DO-35、轴向、，它的工作温度范围为-65°C~175°C，安装类型为通孔，安装类型是通孔，最小工作温度范围是-65 C，最大工作温度范围+175 C，长度为3.9 mm，Ir反向电流为100 nA，阻抗最大Zzt为7 Ohm，高度为1.7 mm，并且电流反向泄漏Vr为100nA@6.2V，并且配置为单一。
BZX55B8V2是齐纳二极管齐纳500mW 8v2，包括单配置，它们设计为轴向安装型，包装箱如数据表注释所示，用于DO-35-2，提供卷轴等包装功能，单位重量设计为0.004586盎司。
