9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的1N5241B-TR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N5241B-TR价格参考0.19000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division 1N5241B-TR封装/规格：DIODE ZENER 11V 500MW DO35。您可以下载1N5241B-TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N5241B-TAP是DIODE ZENER 11V 500MW DO35，包括Automotive、AEC-Q101系列，它们设计为与磁带盒（TB）替代包装一起使用，单位重量如数据表注释所示，用于0.004409盎司，具有通孔、高度设计为1.7毫米，以及3.9毫米长度等安装样式特征，该装置也可以用作1.7mm宽。此外，包装箱为DO-204AH、DO-35、轴向，其工作温度范围为175°C，设备具有安装型通孔，供应商设备包装为DO-35，配置为单一，公差为±5%，最大功率为500mW，电压齐纳标称Vz为11V，阻抗最大值Zzt为22欧姆，电流反向泄漏Vr为2μa@8.4V，正向电压Vf Max If为1.1V@200mA，Pd功耗为500mW，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vz齐纳电压为11 V，电压容差为5%，电压温度系数为0.076%/K，齐纳电流为20 mA，Zz齐纳阻抗为22欧姆，Ir反向电流为2uA。
1N5241BTR是DIODE ZENER 11V 500MW DO35，包括22欧姆Zz齐纳阻抗，它们设计用于20 mA齐纳电流，宽度如数据表注释所示，用于1.91 mm，提供Vz齐纳电压特性，如11 V，电压齐纳标称Vz设计用于11V，以及5%电压容差，该装置也可用作0.076%/C电压温度系数。此外，正向电压Vf Max If在200mA时为1.2V，装置的单位重量为0.004445盎司，装置公差为±5%，供应商装置包装为DO-35，最大功率为500mW，Pd功耗为500 mW，包装为切割胶带（CT）交替包装，包装箱为DO-204AH、DO-35、轴向、，它的工作温度范围为-65°C~200°C，安装类型为通孔，安装类型是通孔，最小工作温度范围是-65 C，最大工作温度范围+200 C，长度为4.56 mm，Ir反向电流为2 uA，阻抗最大Zzt为22欧姆，高度为1.91 mm，电流反向泄漏Vr为2μA@8.4V，配置为单一。
1N5241B-TP是DIODE ZENER 11V 500MW DO35，包括单一配置，它们设计用于在2μa@8.4V电流反向泄漏Vr下工作，高度如数据表注释所示，用于2 mm，提供阻抗最大Zzt特性，如22欧姆，Ir反向电流设计用于2μa，以及4.2 mm长度，其最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，该设备为通孔安装型，该设备具有安装型通孔，其工作温度范围在-55℃~150℃，包装箱为DO-204AH、DO-35、轴向，包装为切割胶带（CT）交替包装，Pd功耗为500mW，最大功率为500mW；系列为1N524；供应商设备封装为DO-35；公差为±5%；单位重量为0.004833 oz；电压正向Vf Max If为1.1V@200mA；电压温度系数为0.076%/C；电压公差为20%；电压齐纳标称Vz为11V；Vz齐纳电压为11V，Zz齐纳阻抗为22欧姆。
