9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的1N5239B-TAP，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N5239B-TAP价格参考0.19000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division 1N5239B-TAP封装/规格：DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35。您可以下载1N5239B-TAP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如1N5239B-TAP价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
1N5239B-T是DIODE ZENER 500MW DO35，包括汽车AEC-Q101系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）包装，包装箱如数据表注释所示，用于DO-204AH、DO-35、轴向，其工作温度范围为175°C，安装类型设计用于通孔，以及DO-35供应商设备包，该装置也可用作±5%公差。此外，最大功率为500mW，该器件提供9.1V电压齐纳标称Vz，该器件具有600欧姆阻抗最大Zzt，电流反向泄漏Vr为3μa@7V，电压正向Vf Max If为1.1V@200mA。
1N5239BTA是DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35，包括9.1V电压齐纳标称Vz，它们设计为在1.1V@200mA电压正向Vf最大值下工作。如果数据表备注中显示了公差，公差为±5%，提供供应商设备包功能，如DO-35，功率最大值设计为500MW，以及磁带和卷轴（TR）封装，该设备也可作为DO-204AH、DO-35、轴向封装外壳使用，其工作温度范围为200°C，该设备为通孔安装型，该设备具有10欧姆的阻抗最大Zzt，电流反向泄漏Vr为3μa@6.7V。
1N5239BLT1，带有ON制造的电路图。1N5239BLT1采用DO-35封装，是IC芯片的一部分。
