特色
- 平面模具结构
- 500mW功耗
- 通用，中等电流
- 完全无铅
- 无卤素和锑-绿色设备
- 符合AEC-Q101标准的高可靠性
BZT52C6V2
- 描述:标称齐纳电压 (Vz): 6.2 V 最大功率: 500 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: SOD-123F 工作温度: -50摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 伯恩半导体 (BORN)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 30
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 100+ | 0.12051 | 12.05150 |
| 1000+ | 0.11369 | 113.69200 |
| 3000+ | 0.10118 | 303.54900 |
| 10000+ | 0.07149 | 714.95000 |
| 50000+ | 0.06745 | 3372.65000 |
- 库存: 120000
- 单价: ¥0.08547
-
数量:
- +
- 总计: ¥2.56
在线询价
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 安装类别 表面安装
- 公差 ±5%
- 最大功率 500 mW
- 标称齐纳电压 (Vz) 6.2 V
- 最大正向压降 (Vf) @ 正向工作电流 (If) -
- 反向漏电流 @ 直流反向电压 1 A @ 3 V
- 最大阻抗值 (Zzt) 50 Ohms
- 包装/外壳 钠-123F
- 供应商设备包装 SOD-123F
- 制造厂商 伯恩半导体 (BORN)
- 工作温度 -50摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 特点 -
BZT52C6V2 产品详情
BZT52C6V2是一个表面安装齐纳二极管，带有模制塑料外壳，在合金42引线框架（无铅电镀）端子和阴极带极性上退火哑光锡。它非常适合自动化装配过程。
BZT52C6V2 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | BZT52H-C6V8115 | 安世半导体 (Nexperia) | BZT52H-C6V8115 | ¥0.10357 |
| BZT52H-C5V1,115 | 安世 (Nexperia) | DIODE ZENER 5.1V 375MW SOD123F | ¥0.12313 |
 | BZT52H-C10,115 | 恩智浦 (NXP) | DIODE ZENER 10V 375MW SOD123F | ¥0.14486 |
 | BZT52H-C27,115 | 恩智浦 (NXP) | DIODE ZENER 27V 375MW SOD123F | ¥0.14486 |
 | BZT52H-B3V9,115 | 恩智浦 (NXP) | DIODE ZENER 3.9V 375MW SOD123F | ¥0.14486 |
| BZT52H-C62,115 | 恩智浦 (NXP) | DIODE ZENER 62V 375MW SOD123F | ¥0.14486 |
| BZT52H-C15,115 | 恩智浦 (NXP) | DIODE ZENER 15V 375MW SOD123F | ¥0.14486 |
| BZT52H-C13,115 | 恩智浦 (NXP) | DIODE ZENER 13V 375MW SOD123F | ¥0.14486 |
| BZT52H-C56,115 | 恩智浦 (NXP) | DIODE ZENER 56V 375MW SOD123F | ¥0.14486 |
 | BZT52H-C2V7,115 | 恩智浦 (NXP) | DIODE ZENER 2.7V 375MW SOD123F | ¥0.14486 |
BZT52C6V2所属分类：单齐纳二极管，BZT52C6V2 由 伯恩半导体 (BORN) 设计生产，可通过久芯网进行购买。BZT52C6V2价格参考￥0.085466，你可以下载 BZT52C6V2中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询BZT52C6V2规格参数、现货库存、封装信息等信息！
伯恩半导体 (BORN)
伯恩半导体（深圳）有限公司（BORNSEMI）是一家以自主研发设计、生产销售为主体的半导体公司，是专业从事保护器件和功率器件的晶元设计研发与生产销售的高新技术企业，是国际掌握半导体过压保护器件和保护集成...
