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1N5243B-TAP是DIODE ZENER 13V 500MW DO35，包括1N52xxB系列，它们设计用于切割胶带（CT）替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.004409盎司，具有通孔、高度设计为1.7毫米，以及3.9毫米长的安装方式，该设备也可以用作1.7毫米宽。此外，包装箱为DO-204AH、DO-35、轴向，其工作温度范围为175°C，设备具有安装型通孔，供应商设备包装为DO-35，配置为单一，公差为±5%，功率最大值为500mW，电压齐纳标称Vz为13V，阻抗最大值Zzt为13欧姆，电流反向泄漏Vr为500nA@9.9V，正向电压Vf Max If为1.1V@200mA，Pd功耗为500mW，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vz齐纳电压为13V，电压容差为5%，电压温度系数为0.079%/K，齐纳电流为9.5 mA，Zz齐纳阻抗为13欧姆，Ir反向电流为500nA。
1N5243B-T是DIODE ZENER 500MW DO35，包括13欧姆Zz齐纳阻抗，它们设计为在2毫米宽的情况下工作，数据表注释中显示了用于13 V的Vz齐纳电压，提供电压齐纳标称Vz特性，如13V，电压容差设计为在5%范围内工作，以及0.079%/C电压温度系数，该装置也可作为1.1V@200mA电压正向Vf Max If使用。此外，单位重量为0.004586 oz，该装置的公差为±5%，该装置具有DO-35供应商装置包，系列为AEC-Q101，最大功率为500mW，Pd功耗为500 mW，包装为胶带和卷轴（TR），包装箱为DO-204AH，DO-35，轴向，它的工作温度范围为175°C，安装类型为通孔，安装类型是通孔，最小工作温度范围是-65 C，最大工作温度范围+200 C，长度为4 mm，Ir反向电流为500 nA，阻抗最大Zzt为600 Ohm，高度为2 mm，电流反向泄漏Vr为500nA@9.9V，配置为单一。
1N5243BTA是DIODE ZENER 13V 500MW DO35，包括500nA@9.4V电流反向泄漏Vr，设计用于在13欧姆阻抗最大Zzt下工作，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，工作温度范围为200°C，包装箱设计用于DO-204AH、DO-35、轴向以及磁带和卷轴（TR）包装，该设备也可作为500mW最大功率使用。此外，供应商设备包为DO-35，该设备的容差为±5%，该设备具有1.1V@200mA的正向电压Vf Max If，电压齐纳标称Vz为13V。
