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1N4732A_T50A，带引脚细节，包括切割胶带（CT）替代包装包装，其设计用于0.008642 oz单位重量的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供2.72 mm等高度特征，长度设计为5.21 mm，以及2.72 mm宽度，该设备也可以用作DO-204AL、DO-41、，轴向封装外壳，其工作温度范围为-65°C~200°C，该器件为通孔安装型，该器件具有供应商器件封装的DO-41，配置为单一，公差为±5%，功率最大值为1W，电压齐纳标称Vz为4.7V，阻抗最大值Zzt为8欧姆，电流反向泄漏Vr为10μa@1V，Pd功耗为1 W，最大工作温度范围为+200 C，最小工作温度范围-65 C，Vz齐纳电压为4.7 V，电压容差为5%，齐纳电流为53 mA，Zz齐纳阻抗为8欧姆，Ir反向电流为10 uA。
1N4732AE3/TR13，带有用户指南，包括4.7V电压齐纳标称Vz，它们设计为在1.2V@200mA电压正向Vf最大值下工作。如果数据表注释中显示了0.010935盎司的单位重量，提供±5%的公差特性，供应商设备包设计为在DO-204AL（DO-41）以及1W最大功率下工作，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，封装外壳为DO-204AL、DO-41、轴向，其工作温度范围为-65°C~150°C，装置具有安装类型的通孔，安装类型为通孔，阻抗最大Zzt为8欧姆，电流反向泄漏Vr为10μa@1V。
1N4732A_T50R，带电路图，包括10μA@1V电流反向泄漏Vr，它们设计为在8欧姆阻抗最大Zzt下工作，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，其工作温度范围为-65°C~200°C，包装箱设计为在DO-204AL、DO-41、轴向以及磁带和卷轴（TR）交替包装中工作，该设备也可作为1W最大功率使用。此外，供应商设备包为DO-41，该设备的容差为±5%，该设备具有4.7V的电压齐纳标称Vz。
1N4732A-4.7V，带TCON制造的EDA/CAD模型。1N4732A-4.7V采用DO-41封装，是IC芯片的一部分。
