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1N4733A_T50A,带销细节,包括切割胶带(CT)替代包装包装,设计用于0.008642盎司单位重量的包装,安装方式如数据表注释所示,用于通孔,提供2.72 mm等高度特征,长度设计为5.21 mm,以及2.72 mm宽度,该设备也可以用作DO-204AL、DO-41、,轴向封装外壳,其工作温度范围为-65°C~200°C,该器件为通孔安装型,该器件具有供应商器件封装的DO-41,配置为单一,公差为±5%,功率最大值为1W,电压齐纳标称Vz为5.1V,阻抗最大值Zzt为7欧姆,电流反向泄漏Vr为10μa@1V,Pd功耗为1 W,最大工作温度范围为+200 C,最小工作温度范围-65 C,Vz齐纳电压为5.1 V,电压容差为5%,齐纳电流为49 mA,Zz齐纳阻抗为7欧姆,Ir反向电流为10 uA。
1N4733A_T50R,带有用户指南,包括7欧姆Zz齐纳阻抗,它们设计用于49 mA齐纳电流,宽度如数据表注释所示,用于2.72 mm,提供Vz齐纳电压特性,如5.1 V,电压齐纳标称Vz设计用于5.1V,以及5%电压容差,该设备也可以用作0.008642 oz单位重量。此外,公差为±5%,该设备采用DO-41供应商设备包提供,该设备的最大功率为1W,Pd功耗为1 W,包装为切割胶带(CT)交替包装,包装箱为DO-204AL,DO-41,轴向,其工作温度范围为-65°C~200°C,安装方式为通孔,安装类型为通孔,其最小工作温度范围为-65℃,最大工作温度范围+200℃,长度为5.21 mm,Ir反向电流为10 uA,阻抗最大Zzt为7 Ohm,高度为2.72 mm,电流反向泄漏Vr为10μA@1V,配置为单一。
1N4733AE3/TR13,带有电路图,包括10μA@1V电流反向泄漏Vr,它们设计为在7欧姆阻抗最大Zzt下工作,安装类型如数据表注释所示,用于通孔,提供安装类型特征,如通孔,其工作温度范围为-65°C~150°C,以及DO-204AL、DO-41、轴向封装外壳,该设备也可以用作磁带和卷轴(TR)包装。此外,最大功率为1W,该设备采用DO-204AL(DO-41)供应商设备包提供,该设备具有±5%的公差,单位重量为0.010935 oz,电压正向Vf Max If为1.2V@200mA,电压齐纳标称Vz为5.1V。
1N4733A-5.1V,带TCON制造的EDA/CAD模型。1N4733A-5.1V采用DO-41封装,是IC芯片的一部分。