9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的1N4747A-TR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N4747A-TR参考价格为0.35000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division 1N4747A-TR封装/规格：DIODE ZENER 20V 1.3W DO41。您可以下载1N4747A-TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N4747A-TP是DIODE ZENER 20V 1W DO41G，包括1N474系列，它们设计为使用切割胶带（CT）替代包装包装，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，具有2.8 mm的高度特征，长度设计为4.5 mm，以及2.8 mm的宽度，该设备也可以用作DO-204AL、DO-41、轴向包装箱，它的工作温度范围为-65°C~200°C，该设备为通孔安装型，该设备具有DO-41G供应商设备包，配置为单一，公差为±5%，最大功率为1W，电压齐纳标称Vz为20V，阻抗最大Zzt为22欧姆，电流反向泄漏Vr为5μa@15.2V，正向电压Vf Max If在200mA时为1.2V，Pd功耗为1W，其最大工作温度范围为+200 C，最小工作温度范围是-65 C，在200 mA时正向电压为1.2 V，Vz齐纳电压为20 V，电压容差为5%，齐纳电流为45 mA，Zz齐纳阻抗为22欧姆，Ir反向电流为5uA。
1N4747A-TAP是DIODE ZENER 20V 1.3W DO204AL，包括22欧姆Zz齐纳阻抗，设计用于45 mA齐纳电流，宽度如数据表注释所示，用于2.6 mm，提供Vz齐纳电压特性，如20 V，电压齐纳标称Vz设计用于20V，以及5%电压容差，该设备也可以用作1.2V@200mA电压正向Vf Max If。此外，单位重量为0.010935盎司，设备提供±5%公差，设备具有DO-204AL（DO-41）供应商设备包，最大功率为1.3W，Pd功耗为1.3W。包装为磁带盒（TB）替代包装，包装箱为DO-204AL、DO-41、轴向、，它的工作温度范围为175°C，安装类型为通孔，安装类型是通孔，最小工作温度范围是-65 C，最大工作温度范围+175 C，长度为4.1 mm，Ir反向电流为5 uA，阻抗最大Zzt为22欧姆，高度为2.6 mm，电流反向泄漏Vr为5μA@15.2V，配置为单一。
1N4747ATR是DIODE ZENER 20V 1W DO41，包括单一配置，它们设计为在15.2V电流反向泄漏Vr下工作5μa，高度如数据表注释所示，用于2.72 mm，提供阻抗最大Zzt特性，如22 Ohm，Ir反向电流设计为在5μa下工作，长度为5.21 mm，其最大工作温度范围为+200℃，最小工作温度范围是-65℃，该设备为通孔安装型，该设备具有安装型通孔，其工作温度范围在-65℃~200℃之间，包装箱为DO-204AL、DO-41、轴向，包装为切割胶带（CT）交替包装，Pd功耗为1 W，最大功率为1W，供应商设备封装为DO-41，公差为±5%，单位重量为0.008642 oz，电压公差为5%，电压齐纳标称Vz为20V，Vz齐纳电压为20V，宽度为2.72 mm，齐纳电流为12.5 mA，Zz齐纳阻抗为22欧姆。
