特色
•硅平面齐纳二极管
•齐纳电压根据
国际E24标准
•AEC-Q101合格可用
•AEC-Q101规定的ESD能力：
人体模型>8 kV
机器型号>800 V
•Base P/N-E3-符合RoHS，商用
等级
•Base P/N-HE3-符合RoHS，AEC-Q101认证
•材料分类：用于合规性定义
请看www.vishay.com/doc？99912
BZT52C3V3-G3-08
- 描述:标称齐纳电压 (Vz): 3.3伏 最大功率: 410毫瓦 公差: ±5% 供应商设备包装: SOD-123 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度
- 品牌: 威世半导体 (Vishay Cera-Mite)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 0.43570 | 0.43570 |
| 10+ | 0.36032 | 3.60327 |
| 30+ | 0.32263 | 9.67905 |
| 300+ | 0.28306 | 84.91800 |
| 600+ | 0.26044 | 156.26820 |
| 900+ | 0.24914 | 224.22690 |
- 库存: 9920
- 单价: ¥0.43570
-
数量:
- +
- 总计: ¥0.44
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 安装类别 表面安装
- 制造厂商 威世半导体 (Vishay Cera-Mite)
- 公差 ±5%
- 包装/外壳 钠-123
- 供应商设备包装 SOD-123
- 最大阻抗值 (Zzt) 80 Ohms
- 最大正向压降 (Vf) @ 正向工作电流 (If) -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度
- 标称齐纳电压 (Vz) 3.3伏
- 最大功率 410毫瓦
- 反向漏电流 @ 直流反向电压 -
- 特点 -
BZT52C3V3-G3-08 产品详情
BZT52C3V3-G3-08 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | BZT52H-C6V8115 | 安世半导体 (Nexperia) | BZT52H-C6V8115 | ¥0.10357 |
| BZT52H-C5V1,115 | 安世 (Nexperia) | DIODE ZENER 5.1V 375MW SOD123F | ¥0.12313 |
 | BZT52H-C10,115 | 恩智浦 (NXP) | DIODE ZENER 10V 375MW SOD123F | ¥0.14486 |
 | BZT52H-C27,115 | 恩智浦 (NXP) | DIODE ZENER 27V 375MW SOD123F | ¥0.14486 |
 | BZT52H-B3V9,115 | 恩智浦 (NXP) | DIODE ZENER 3.9V 375MW SOD123F | ¥0.14486 |
| BZT52H-C62,115 | 恩智浦 (NXP) | DIODE ZENER 62V 375MW SOD123F | ¥0.14486 |
| BZT52H-C15,115 | 恩智浦 (NXP) | DIODE ZENER 15V 375MW SOD123F | ¥0.14486 |
| BZT52H-C13,115 | 恩智浦 (NXP) | DIODE ZENER 13V 375MW SOD123F | ¥0.14486 |
| BZT52H-C56,115 | 恩智浦 (NXP) | DIODE ZENER 56V 375MW SOD123F | ¥0.14486 |
 | BZT52H-C2V7,115 | 恩智浦 (NXP) | DIODE ZENER 2.7V 375MW SOD123F | ¥0.14486 |
BZT52C3V3-G3-08所属分类：单齐纳二极管，BZT52C3V3-G3-08 由 威世半导体 (Vishay Cera-Mite) 设计生产，可通过久芯网进行购买。BZT52C3V3-G3-08价格参考￥0.435704，你可以下载 BZT52C3V3-G3-08中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询BZT52C3V3-G3-08规格参数、现货库存、封装信息等信息！
威世半导体 (Vishay Cera-Mite)
Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体（二极管、MOSFET和光电子）和无源元件（电阻器、电感器和电容器）的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型...
