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MMBZ5246C-HE3-18，带引脚细节，包括汽车、AEC-Q101系列，它们设计用于小信号齐纳二极管产品，包装如数据表注释所示，用于磁带和卷轴（TR）替代包装，提供单位重量功能，如0.000310盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及to-236-3、SC-59、SOT-23-3包装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C。此外，安装类型为表面安装，该设备在SOT-23-3供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，公差为±2%，功率最大值为225mW，电压齐纳标称Vz为16V，阻抗最大值Zzt为17 Ohm，电流反向泄漏Vr为100nA@12V，Pd功耗为225 mW，其最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，Vz齐纳电压为16 V，电压容差为2%，电压温度系数为0.083%/C，Zz齐纳阻抗为17欧姆，Ir反向电流为100 nA。
MMBZ5246ELT1是DIODE ZENER 16V 225MW SOT23-3，包括16V电压齐纳标称Vz，它们设计为在900mV@10mA电压正向Vf最大值下工作。如果数据表备注中显示了公差，公差为±5%，提供供应商设备包功能，如SOT-23-3（to-236），功率最大值设计为225MW，以及磁带和卷轴（TR）封装，该器件也可作为TO-236-3、SC-59、SOT-23-3封装盒使用，其工作温度范围为-55°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有17欧姆的阻抗最大Zzt，电流反向泄漏Vr为100nA@12V。
MMBZ5246ELT1G是DIODE ZENER 16V 225MW SOT23-3，包括100nA@12V电流反向泄漏Vr，设计用于在17欧姆阻抗最大Zzt下工作，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，其工作温度范围为-55°C~150°C，包装箱设计用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3以及磁带和卷轴（TR）包装，该设备也可作为225mW最大功率使用。此外，供应商设备包为SOT-23-3（TO-236），该设备的容差为±5%，该设备具有900mV@10mA的正向电压Vf Max If，电压齐纳标称Vz为16V。
MMBZ5246ELT3G是DIODE ZENER 16V 225MW SOT23-3，包括TO-236-3、SC-59、SOT-23-3封装盒，它们设计用于磁带和卷轴（TR）封装，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备封装功能，如SOT-23-3（TO-236），电压正向Vf Max If设计用于900mV@10mA，它的工作温度范围为-55°C~150°C，该设备也可以用作225mW的最大功率。此外，阻抗最大Zzt为17欧姆，该设备提供16V电压齐纳标称Vz，该设备具有100nA@12V电流反向泄漏Vr，公差为±5%。
