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SZMMBZ5261BLT1G是DIODE ZENER 47V 225MW SOT23-3，包括MMBZ5261E系列，它们设计用于带卷（TR）包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.007090盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3，其工作温度范围为-65°C～150°C，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为SOT-23-3（TO-236），该设备为单配置，该设备具有±5%的容差，最大功率为225mW，电压齐纳标称Vz为47V，阻抗最大Zzt为105 Ohm，电流反向泄漏Vr为100nA@36V，电压正向Vf Max If为900mV@10mA，Pd功耗为225mV，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-65℃，Vf正向电压在10 mA时为0.9 V，Vz齐纳电压为47 V，齐纳电流为2.7 mA，Zz齐纳阻抗为105欧姆，Ir反向电流为100 nA。
SZMMBZ5260BLT1G是DIODE ZENER 43V 225MW SOT23-3，包括43V电压齐纳标称Vz，它们设计为在900mV@10mA电压正向Vf最大值下工作，公差显示在数据表注释中，以±5%使用，提供供应商设备包功能，如SOT-23-3（to-236），系列设计用于MMBZ526E，以及225MW最大功率，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，封装外壳为TO-236-3、SC-59、SOT-23-3，其工作温度范围为-65°C~150°C，该设备具有安装型表面安装，阻抗最大Zzt为93欧姆，电流反向泄漏Vr为100nA@33V，配置为单一。
SZMMBZ5261ELT1G是DIODE ZENER 47V 225MW SOT23-3，包括100nA@36V电流反向泄漏Vr，设计用于105欧姆阻抗最大Zzt的工作，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，其工作温度范围为-55°C~150°C，包装箱设计用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3，除了磁带和卷轴（TR）封装外，该设备还可以用作225mW最大功率。此外，该系列为MMBZ5261E，该设备采用SOT-23-3（TO-236）供应商设备包，该设备具有±5%的容差，电压正向Vf Max If为900mV@10mA，电压齐纳标称Vz为47V。
