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BZX84C11_D87Z,带引脚细节,包括磁带和卷轴(TR)封装,设计用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3封装盒,其工作温度范围为-55°C~150°C,提供表面安装等安装类型功能,供应商设备封装设计用于SOT-23-2(to-236),以及±5%公差,该设备还可以用作350mW最大功率。此外,电压齐纳标称Vz为11V,该设备提供20欧姆阻抗最大Zzt,该设备具有100nA@8V电流反向泄漏Vr,电压正向Vf Max If为900mV@10mA。
BZX84C11-7是DIODE ZENER 11V 300MW SOT23-3,包括11V电压齐纳标称Vz,它们设计为在900mV@10mA电压正向Vf最大值下工作。如果数据表备注中显示了公差,公差为±5%,提供了供应商设备包功能,如SOT-23-3,功率最大值设计为300MW,以及切割带(CT)封装,该器件也可作为TO-236-3、SC-59、SOT-23-3封装盒使用,其工作温度范围为-65°C~150°C,该器件为表面安装型,该器件的阻抗最大值为20欧姆,反向漏电Vr为100nA@8V。
BZX84C11-13-F,电路图由DIODES制造。BZX84C11-13-F采用SOT-23封装,是IC芯片的一部分。