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BZX85C9V1-TR是DIODE ZENER 9.1V 1.3W DO41，包括汽车AEC-Q101系列，它们设计用于带卷（TR）替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，适用于0.010935盎司，具有通孔、高度设计为2.6毫米，以及4.1毫米长的安装方式，该装置也可以用作2.6mm宽。此外，封装外壳为DO-204AL、DO-41、轴向，其工作温度范围为-55°C~175°C，设备具有安装型通孔，供应商设备封装为DO-41，配置为单一，公差为±5%，功率最大值为1.3W，电压齐纳标称Vz为9.1V，阻抗最大值Zzt为5欧姆，电流反向泄漏Vr为1μa@6.8V，Pd功耗为1.3W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，Vz齐纳电压为9.05 V，电压容差为6%，电压温度系数为0.055%/C，齐纳电流为120 mA，Zz齐纳阻抗为5欧姆，Ir反向电流为1 uA。
BZX85C9V1-TAP是DIODE ZENER 9.1V 1.3W DO41，包括5欧姆Zz齐纳阻抗，设计用于120 mA齐纳电流，宽度如数据表注释所示，用于2.6 mm，提供Vz齐纳电压特性，如9.05 V，电压齐纳标称Vz设计用于9.1V，以及6%电压容差，该装置也可用作0.055%/C电压温度系数。此外，单位重量为0.010935盎司，该设备的公差为±5%，该设备具有DO-41供应商设备包装，系列为AEC-Q101，最大功率为1.3W，Pd功耗为1.3W。包装为磁带盒（TB）交替包装，包装箱为DO-204AL，DO-41，轴向，其工作温度范围为-55°C~175°C，安装类型为通孔，安装类型为穿孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，长度为4.1 mm，Ir反向电流为1 uA，阻抗最大Zzt为5 Ohm，高度为2.6 mm，反向电流Vr为1μA@6.8V，配置为单一。
BZX85C9V1_T50R，带电路图，包括1μA@6.5V电流反向泄漏Vr，它们设计为在5欧姆阻抗最大Zzt下工作，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，其工作温度范围为-65°C~200°C，包装箱设计用于DO-204AL、DO-41、轴向以及磁带和卷轴（TR）包装，该设备也可作为1W最大功率使用。此外，供应商设备包为DO-41，该设备的容差为±6%，该设备具有1.2V@200mA的正向电压Vf Max If，电压齐纳标称Vz为9.1V。
BZX85C9V1_T50A，带EDA/CAD型号，包括通孔安装型，设计用于磁带盒（TB）封装，供应商设备封装如数据表注释所示，用于DO-41，提供DO-204AL、DO-41、轴向、电压齐纳标称Vz等封装外壳功能，设计用于9.1V，工作温度范围为-65°C~200°C，该器件也可以用作5欧姆阻抗最大Zzt。此外，电流反向泄漏Vr为1μA@6.5V，该器件提供1W功率最大值，该器件具有1.2V@200mA电压正向Vf Max If，容差为±6%。
