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MM3Z8V2B是DIODE ZENER 8.2V 200MW SOD323F，包括Digi-ReelR替代包装包装，它们设计用于0.000974 oz单位重量的操作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该设备具有1 mm的高度特征，长度设计为1.7 mm，以及1.3 mm的宽度，该设备也可以用作SC-90、SOD-323F包装箱，它的工作温度范围为-65°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有供应商器件封装的SOD-323F，配置为单一，容差为±2%，最大功率为200mW，电压齐纳标称Vz为8.2V，阻抗最大Zzt为14欧姆，电流反向泄漏Vr为630nA@5V，电压正向Vf Max If为1V@10mA，Pd功耗为200mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，Vz齐纳电压为8.2 V，电压容差为2%，Zz齐纳阻抗为14欧姆，Ir反向电流为630 nA。
MM3Z8V2C是DIODE ZENER 8.2V 200MW SOD323F，包括14欧姆Zz齐纳阻抗，其设计工作宽度为1.3 mm，Vz齐纳电压如数据表注释所示，用于8.2 V，提供电压齐纳标称Vz特性，如8.2V，电压容差设计工作在5%，以及1V@10mA电压正向Vf Max If，该装置也可以用作0.000974盎司单位重量。此外，公差为±5%，该器件采用SOD-323F供应商器件封装，该器件最大功率为200mW，Pd功耗为200mW；封装为Digi-ReelR替代封装，封装外壳为SC-90，SOD-323F，工作温度范围为-65°C~150°C，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，其最小工作温度范围为-65℃，最大工作温度范围+150℃，长度为1.7 mm，Ir反向电流为630 nA，阻抗最大Zzt为14 Ohm，高度为1 mm，电流反向泄漏Vr为630nA@5V，配置为单一。
MM3Z8V2是由ST制造的二极管齐纳单8.2V 6%200mW汽车用2引脚SOD-323F T/R。MM3Z8 V2采用SOD323封装，是IC芯片的一部分，支持二极管齐纳单8.2V 6%200mW汽车用2-引脚SOD-323 F/R。
MM3Z8V2LT1G，带有ON/LRC制造的EDA/CAD模型。MM3Z8V2LT1G采用SOD-323封装，是IC芯片的一部分。
