9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的MMBZ5262B-E3-18，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MMBZ5262B-E3-18参考价格$0.02992。Vishay General Semiconductor-Diodes Division MMBZ5262B-E3-18封装/规格：DIODE ZENER 51V 225MW SOT23-3。您可以下载MMBZ5262B-E3-18英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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MMBZ5261C-HE3-08，带引脚细节，包括汽车、AEC-Q101系列，它们设计用于小型信号齐纳二极管产品，包装如数据表注释所示，用于磁带和卷轴（TR）替代包装，提供单位重量功能，如0.000310盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及to-236-3、SC-59、SOT-23-3包装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C。此外，安装类型为表面安装，该设备在SOT-23-3供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，公差为±2%，功率最大值为225mW，电压齐纳标称Vz为47V，阻抗最大值Zzt为105 Ohm，电流反向泄漏Vr为100nA@36V，Pd功耗为225 mW，其最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，Vz齐纳电压为47 V，电压容差为2%，电压温度系数为0.095%/C，Zz齐纳阻抗为105欧姆，Ir反向电流为100 nA。
MMBZ5261C-HE3-18，带有用户指南，包括105欧姆Zz齐纳阻抗，它们设计为在47 V Vz齐纳电压下工作，电压齐纳标称Vz如数据表注释所示，用于47V，提供2%的电压容差特性，电压温度系数设计为在0.095%/C下工作，以及0.000310盎司的单位重量，该装置也可用作±2%公差。此外，供应商设备包装为SOT-23-3，该设备为汽车AEC-Q101系列，该设备具有小信号齐纳二极管产品，最大功率为225mW，Pd功耗为225mW，包装为胶带和卷轴（TR）交替包装，包装箱为TO-236-3、SC-59、SOT-23-1，其工作温度范围为-55°C~150°C，安装类型为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Ir反向电流为100 nA，阻抗最大值Zzt为105 Ohm，反向电流Vr为100nA@36V，配置为单一。
MMBZ5261ELT1G是DIODE ZENER 47V 225MW SOT23-3，包括单一配置，设计用于100nA@36V电流反向泄漏Vr，高度显示在数据表注释中，用于0.94 mm，提供阻抗最大Zzt特性，例如105欧姆，长度设计用于2.9 mm，最大工作温度范围为+150 C，它的最低工作温度范围为-65℃。此外，安装类型为表面安装，该器件采用SMD/SMT安装方式，其工作温度范围在-55℃~150℃之间，包装箱为TO-236-3、SC-59、SOT-23-3，包装为磁带和卷轴（TR），Pd功耗为300 mW，最大功率为225mW，系列为MMBZ5261E，供应商设备包为SOT-23-3（TO-236），公差为±5%，单位重量为0.007090 oz，电压正向Vf Max If为900mV@10mA，电压齐纳标称Vz为47V，Vz齐纳电压为47V、宽度为1.3mm。
MMBZ5261ELT1是DIODE ZENER 47V 225MW SOT23-3，包括TO-236-3、SC-59、SOT-23-3包装箱，它们设计为使用磁带和卷轴（TR）替代包装包装，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备包功能，如SOT-23-2（TO-236），电压正向Vf Max If设计为在900mV@10mA下工作，它的工作温度范围为-55°C~150°C，该器件也可以用作47V电压齐纳标称Vz。此外，最大功率为225mW，该设备提供105欧姆阻抗最大Zzt，该设备在36V电流反向泄漏Vr时具有100nA，公差为±5%。
