9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BZX84C68-E3-18，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BZX84C68-E3-18参考价格$0.03179。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BZX84C68-E3-18封装/规格：DIODE ZENER 68V 300MW SOT23-3。您可以下载BZX84C68-E3-18英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BZX84C62LT1G是DIODE ZENER 62V 225MW SOT23-3，包括BZX84C62 L系列，设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.007090盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，高度设计为0.94 mm，长度为2.9 mm，设备也可以用作1.3 mm宽。此外，封装外壳为TO-236-3、SC-59、SOT-23-3，该器件为表面安装型，该器件具有供应商器件封装的SOT-23-2（TO-236），配置为单一，公差为±6%，最大功率为225mW，电压齐纳标称Vz为62V，阻抗最大Zzt为215欧姆，反向电流泄漏Vr为50nA@43.4V，正向电压Vf Max If为900mV@10mA，Pd功耗为300mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，Vz齐纳电压为62V，电压容差为6%，电压温度系数为65.2mV/K，齐纳电流为10mA，Zz齐纳阻抗为215欧姆，Ir反向电流为50nA。
BZX84C62-HE3-18带有用户指南，包括215欧姆Zz齐纳阻抗，它们设计用于62 V Vz齐纳电压，数据表注释中显示了用于62V的电压齐纳标称Vz，提供5%的电压容差特性，电压温度系数设计用于1.2 mV/C，以及0.000310盎司的单位重量，该装置也可用作±5%公差。此外，供应商设备包装为SOT-23-3，该设备为AEC-Q101系列汽车产品，该设备具有小信号齐纳二极管产品，最大功率为300mW，Pd功耗为300mW；包装为胶带和卷筒（TR）交替包装，包装箱为TO-236-3、SC-59、SOT-23-1，其工作温度范围为-55°C~150°C，安装类型为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Ir反向电流为50 nA，阻抗最大Zzt为215 Ohm，反向电流Vr为50nA@43.4V，配置为单一。
BZX84C62LT1是DIODE ZENER 62V 225MW SOT23-3，包括50nA@43.4V电流反向泄漏Vr，设计用于215欧姆阻抗最大Zzt，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供to-236-3、SC-59、SOT-23-3等封装外壳功能。封装设计用于磁带和卷轴（TR），以及225MW最大功率，该装置也可以用作SOT-23-3（TO-236）供应商装置包。此外，公差为±6%，该器件提供900mV@10mA正向电压Vf Max。如果，该器件具有62V电压齐纳标称Vz。
