9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BZT55C39-GS18，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BZT55C39-GS18参考价格$0.02936。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BZT55C39-GS18封装/规格：DIODE ZENER 39V 500MW SOD80。您可以下载BZT55C39-GS18英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BZT55C36-GS18是DIODE ZENER 36V 500MW SOD80，包括Automotive、AEC-Q101系列，它们设计用于胶带和卷轴（TR）交替包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.001827盎司，提供SMD/SMT等安装样式功能，高度设计为1.6 mm，长度为3.7 mm，该装置也可以用作1.6mm宽。此外，封装外壳为SOD-80变体，其工作温度范围为-65°C~175°C，设备具有安装型表面安装，供应商设备封装为SOD-80QuadroMELF，配置为单一，公差为±5%，最大功率为500mW，电压齐纳标称Vz为36V，阻抗最大Zzt为80 Ohm，电流反向泄漏Vr为100nA@27V，电压正向Vf Max If为1.5V@200mA，Pd功耗为500mW，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vz齐纳电压为36V，电压容差为6%，电压温度系数为0.08%/K，Zz齐纳阻抗为80欧姆，Ir反向电流为100nA。
BZT55C39-GS08是DIODE ZENER 39V 500MW SOD80，包括39V电压齐纳标称Vz，它们设计为在200mA电压正向Vf最大值下工作1.5V，公差显示在数据表注释中，用于±5%，提供供应商设备包功能，如SOD-80 QuadroMELF，系列设计用于汽车、AEC-Q101以及500MW最大功率，该设备也可以用作胶带和卷筒（TR）替代包装包装。此外，封装外壳为SOD-80变体，其工作温度范围为-65°C~175°C，装置具有安装型表面安装，阻抗最大Zzt为90欧姆，电流反向泄漏Vr为100nA@30V。
BZT55C39是齐纳二极管39伏特500mW 5%，包括单一配置，设计用于1.8 mm高度的工作，Ir反向电流如数据表注释所示，用于100 nA，具有3.7 mm的长度特性，最大工作温度范围为+200 C，最小工作温度范围-65 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，包装盒为MiniMelf-2，该设备采用卷筒包装，该设备具有L1部分别名，Pd功耗为500mW，电压容差为5%，Vz齐纳电压为39V，宽度为1.6mm，Zz齐纳阻抗为90欧姆。
