9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BZT55C4V7-GS18,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。BZT55C4V7-GS18参考价格$0.02936。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BZT55C4V7-GS18封装/规格:DIODE ZENER 4.7V 500MW SOD80。您可以下载BZT55C4V7-GS18英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BZT55C4V7是齐纳二极管4.7伏特500mW 5%,包括卷轴封装,它们设计为与L1部件别名一起工作,安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示,该器件提供1.8毫米的高度特性,长度设计为3.7毫米,以及1.6毫米的宽度,该器件也可以用作MiniMelf-2封装盒。此外,该配置为单一配置,该设备提供500 mW Pd功耗,其最大工作温度范围为+200 C,最小工作温度范围是-65 C,Vz齐纳电压为4.7 V,电压容差为6%,Zz齐纳阻抗为60欧姆,Ir反向电流为500 nA。
BZT55C4V7 L1是TSC制造的二极管齐纳单4.7V 5%500mW 2引脚Quadro Mini MELF T/R。BZT55C4V7 L1采用LL34封装,是IC芯片的一部分,支持二极管齐纳单4.7V 5%500mW 2引脚Quadro Mini MELF T/R。
BZT55C4V7-GS08-4V7,带有VISHAY制造的电路图。BZT55C4V7-GS08-4V7采用LL34封装,是IC芯片的一部分。