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BZX384C15-E3-08是DIODE ZENER 15V 200MW SOD323，包括BZX384系列，它们设计用于小信号齐纳二极管产品，包装如数据表说明所示，用于磁带和卷轴（TR）替代包装，提供单位重量功能，如0.000152盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及SC-76、SOD-323包装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C。此外，安装类型为表面安装，该设备在SOD-323供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，公差为±5%，最大功率为200mW，电压齐纳标称Vz为15V，最大阻抗Zzt为30欧姆，反向电流泄漏Vr为50nA@1.5V，Pd功耗为200mW，其最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，Vz齐纳电压为15 V，电压容差为5%，电压温度系数为0.9 mV/C，Zz齐纳阻抗为10欧姆，Ir反向电流为50 nA。
BZX384C15-E3-18是DIODE ZENER 15V 200MW SOD323，包括10欧姆Zz齐纳阻抗，设计用于15V Vz齐纳电压，数据表中显示了用于15V的电压齐纳标称Vz，提供5%的电压容差特性，电压温度系数设计用于0.9 mV/C，以及0.000152盎司的单位重量，该装置也可用作±5%公差。此外，供应商设备包装为SOD-323，该设备为BZX384系列，该设备具有产品小信号齐纳二极管，最大功率为200mW，Pd功耗为200mW；包装为胶带和卷轴（TR）交替包装，包装箱为SC-76，SOD-323；其工作温度范围为-55°C~150°C，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Ir反向电流为50 nA，阻抗最大值Zzt为30 Ohm，电流反向泄漏Vr为50 nA@1.5V，配置为单一。
BZX384-C15/ZLX带电路图，包括50nA@700mV电流反向泄漏Vr，设计用于在30欧姆阻抗最大Zzt下工作，其工作温度范围为-65°C~150°C，可提供300mW等最大功率特性，该器件还可以用作1.1V@100mA正向电压Vf Max If。此外，电压齐纳标称Vz为15V。
BZX384-C15.115，带有NXP制造的EDA/CAD模型。BZX384-C15.115采用SOD323封装，是IC芯片的一部分。
