9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的1N5244B-TAP，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N5244B-TAP参考价格$0.02376。Vishay General Semiconductor-Diodes Division 1N5244B-TAP封装/规格：DIODE ZENER 14V 500MW DO35。您可以下载1N5244B-TAP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N5234B TR，带销细节，包括1N5234系列，它们设计用于切割胶带（CT）替代包装包装，包装箱如数据表注释所示，用于DO-204AH、DO-35、轴向，其工作温度范围为-65°C~200°C，安装类型设计用于通孔，以及DO-35供应商设备包，该装置也可用作±5%公差。此外，最大功率为500mW，该器件提供6.2V电压齐纳标称Vz，该器件具有7欧姆阻抗最大Zzt，电流反向泄漏Vr为5μa@4V，电压正向Vf Max If为1.1V@200mA。
1N5234B_T50R带用户指南，包括6.2V电压齐纳标称Vz，它们设计为在1.2V@200mA电压正向Vf最大值下工作。如果数据表备注中显示了公差，公差为±5%，提供了供应商设备包功能，如DO-35，功率最大值设计为500mW，以及磁带和卷轴（TR）替代包装，该设备也可以用作DO-204AH、DO-35、轴向封装外壳，其工作温度范围为-65°C~200°C，该设备为通孔安装型，该设备具有7欧姆的阻抗最大Zzt，电流反向泄漏Vr为5μa@4V。
1N5234B_T50A，带电路图，包括5μA@4V电流反向泄漏Vr，它们设计为在7欧姆阻抗最大Zzt下工作，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，其工作温度范围为-65°C~200°C，包装箱设计为在DO-204AH、DO-35、轴向以及磁带盒（TB）替代包装中工作，该设备也可以用作500mW最大功率。此外，供应商设备包为DO-35，该设备的容差为±5%，该设备具有1.2V@200mA的正向电压Vf Max If，电压齐纳标称Vz为6.2V。
1N5234B BK，带EDA/CAD型号，包括通孔安装型，设计用于DO-35供应商设备包，数据表注释中显示了用于DO-204AH、DO-35、轴向的包壳，提供了散装交替封装等封装功能，阻抗最大Zzt设计用于7欧姆，工作温度范围为-65°C~200°C，该器件也可以用作6.2V电压齐纳标称Vz。此外，电流反向泄漏Vr为5μA@4V，该设备的最大功率为500mW，该设备具有1N523系列，电压正向Vf Max If为1.1V@200mA，公差为±5%。
