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SZMMBZ5248BLT3G是DIODE ZENER 18V 225MW SOT23-3,包括MMBZ5248 E系列,它们设计用于磁带和卷轴(TR)包装,单位重量如数据表注释所示,用于0.050717盎司,提供SMD/SMT等安装方式功能,包装箱设计用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3,其工作温度范围为-65°C~150°C,该装置也可以用作表面安装型。此外,供应商设备包为SOT-23-3(TO-236),该设备为单配置,该设备具有±5%的容差,最大功率为225mW,电压齐纳标称Vz为18V,阻抗最大Zzt为21 Ohm,电流反向泄漏Vr为100nA@14V,电压正向Vf Max If为900mV@10mA,Pd功耗为500mW,Vz齐纳电压为18.9V,电压容差为2%,齐纳电流为7mA,Zz齐纳阻抗为21欧姆,Ir反向电流为100nA。
SZMMBZ5248ELT1G带有用户指南,包括18V电压齐纳标称Vz,设计用于900mV@10mA电压正向Vf最大值。如果数据表备注中显示了公差,公差为±5%,提供供应商设备包功能,如SOT-23-3(to-236),该系列设计用于汽车、AEC-Q101以及225mW最大功率,该设备也可以用作磁带和卷轴(TR)包装。此外,封装外壳为TO-236-3、SC-59、SOT-23-3,其工作温度范围为-65°C~150°C,装置具有安装型表面安装,阻抗最大Zzt为21欧姆,电流反向泄漏Vr为100nA@14V。
SZMMBZ5249BLT1G是DIODE ZENER 19V 225MW SOT23-3,包括100nA@14V电流反向泄漏Vr,它们设计为在23欧姆阻抗最大Zzt下工作,安装类型如数据表注释所示,用于表面安装,其工作温度范围为-65°C~150°C,包装箱设计为在to-236-3、SC-59、SOT-23-3、,除了磁带和卷轴(TR)包装外,该设备还可以用作225mW的最大功率。此外,供应商设备包为SOT-23-3(TO-236),该设备的容差为±5%,该设备具有900mV@10mA的正向电压Vf Max If,电压齐纳标称Vz为19V。