9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的1N5251B-TAP，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N5251B-TAP参考价格$0.02376。Vishay General Semiconductor-Diodes Division 1N5251B-TAP封装/规格：DIODE ZENER 22V 500MW DO35。您可以下载1N5251B-TAP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N5251B-T是DIODE ZENER 500MW DO35，包括汽车AEC-Q101系列，它们设计用于带卷（TR）包装，包装箱如数据表注释所示，用于DO-204AH、DO-35、轴向，其工作温度范围为175°C，安装类型设计用于通孔，以及DO-35供应商设备包，该装置也可用作±5%公差。此外，最大功率为500mW，该设备提供22V电压齐纳标称Vz，该设备具有600欧姆阻抗最大Zzt，电流反向泄漏Vr为100nA@17V，电压正向Vf最大If为1.1V@200mA。
带用户指南的1N5251BDO35，包括22V电压齐纳标称Vz，它们设计为在1.5V@200mA电压正向Vf最大值下工作。如果数据表注释中显示了公差，公差为±5%，提供了供应商设备包功能，如DO-35，功率最大值设计为500mW，以及磁带和卷轴（TR）封装，该设备也可以用作DO-204AH、DO-35、，轴向封装外壳，其工作温度范围为-65°C~175°C，设备为通孔安装型，设备阻抗最大值为29欧姆，最大Zzt，电流反向泄漏Vr为100nA@17V。
带电路图的1N5251BTA，包括100nA@15V电流反向泄漏Vr，设计用于29欧姆阻抗最大Zzt的操作，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，工作温度范围为200°C，包装箱设计用于DO-204AH、DO-35、轴向以及磁带和卷轴（TR）包装，该设备也可作为500mW最大功率使用。此外，供应商设备包为DO-35，该设备的容差为±5%，该设备具有1.1V@200mA的正向电压Vf Max If，电压齐纳标称Vz为22V。
