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BZT55C2V2是齐纳二极管2.2伏特500mW 5%,包括卷轴封装,它们设计为与L1部件别名一起工作,安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示,提供1.8毫米的高度特性,长度设计为3.7毫米,以及1.6毫米的宽度,该器件也可以用作MiniMelf-2封装盒。此外,该配置为单一配置,该设备提供500 mW Pd功耗,其最大工作温度范围为+200 C,最小工作温度范围是-65 C,Vz齐纳电压为2.205 V,电压容差为6%,Zz齐纳阻抗为100欧姆,Ir反向电流为50 uA。
BZT55C2V4是齐纳二极管2.4伏500mW 5%,包括85欧姆Zz齐纳阻抗,设计用于1.6毫米宽,数据表中显示了用于2.42伏的Vz齐纳电压,提供6%的电压容差特性,Pd功耗设计用于500 mW,以及L1部件别名,该设备也可用作卷筒包装。此外,封装外壳为MiniMelf-2,器件采用SMD/SMT安装方式,最小工作温度范围为-65℃,最大工作温度范围+200℃,长度为3.7 mm,Ir反向电流为50 uA,高度为1.8 mm,配置为单一。
BZT55C2V0,电路图由VISHAY制造。BZT55C2V0采用2.0V封装,是IC芯片的一部分。