9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的1N5266B-TAP，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N5266B-TAP参考价格$0.02376。Vishay General Semiconductor-Diodes Division 1N5266B-TAP封装/规格：DIODE ZENER 68V 500MW DO35。您可以下载1N5266B-TAP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N5266B TR是DIODE ZENER 68V 500MW DO35，包括1N5266系列，它们设计用于切割胶带（CT）替代包装包装，产品名称显示在用于1N526的数据表注释中，该产品提供DO-204AH、DO-35、轴向等包装箱功能，其工作温度范围为-65°C~200°C，以及通孔安装型，该设备也可以用作DO-35供应商设备包。此外，容差为±5%，该设备的最大功率为500mW，该设备具有68V的电压齐纳标称Vz，阻抗最大Zzt为230欧姆，电流反向泄漏Vr为100nA@52V，电压正向Vf最大If为1.1V@200mA。
1N5266B-T是DIODE ZENER 500MW DO35，包括68V电压齐纳标称Vz，它们设计为在1.1V@200mA电压正向Vf最大值下工作。如果数据表备注中显示了公差，公差为±5%，提供了供应商设备包功能，如DO-35，系列设计用于汽车、AEC-Q101以及500MW最大功率，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，封装外壳为DO-204AH、DO-35、轴向，其工作温度范围为175°C，装置具有安装型通孔，阻抗最大Zzt为1600欧姆，电流反向泄漏Vr为100nA@52V。
1N5266BDO35，带电路图，包括100nA@52V电流反向泄漏Vr，设计用于230欧姆阻抗最大Zzt的操作，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，其工作温度范围为-65°C~175°C，包装箱设计用于DO-204AH、DO-35、轴向以及磁带和卷轴（TR）包装，该设备也可作为500mW最大功率使用。此外，供应商设备包为DO-35，该设备的容差为±5%，该设备具有1.5V@200mA的正向电压Vf Max If，电压齐纳标称Vz为68V。
