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BZX85C3V9-TR是DIODE ZENER 3.9V 1.3W DO41，包括汽车AEC-Q101系列，它们设计用于带卷（TR）替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，适用于0.010935盎司，具有通孔、高度设计为2.6毫米，以及4.1毫米长的安装方式，该装置也可以用作2.6mm宽。此外，封装外壳为DO-204AL、DO-41、轴向，其工作温度范围为-55°C~175°C，设备具有安装型通孔，供应商设备封装为DO-41，配置为单一，公差为±5%，功率最大值为1.3W，电压齐纳标称Vz为3.9V，阻抗最大值Zzt为15欧姆，电流反向泄漏Vr为10μa@1V，Pd功耗为1.3W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，Vz齐纳电压为3.9 V，电压容差为5%，电压温度系数为-0.045%/C，齐纳电流为280 mA，Zz齐纳阻抗为15欧姆，Ir反向电流为10 uA。
BZX85C3V9-TAP是DIODE ZENER 3.9V 1.3W DO41，包括15欧姆Zz齐纳阻抗，设计用于280 mA齐纳电流，宽度如数据表注释所示，用于2.6 mm，提供Vz齐纳电压特性，如3.9 V，电压齐纳标称Vz设计用于3.9V，以及5%电压容差，该器件还可以用作-0.045%/C电压温度系数。此外，单位重量为0.010935盎司，该设备的公差为±5%，该设备具有DO-41供应商设备包装，系列为AEC-Q101，最大功率为1.3W，Pd功耗为1.3W。包装为磁带盒（TB）交替包装，包装箱为DO-204AL，DO-41，轴向，其工作温度范围为-55°C~175°C，安装类型为通孔，安装类型为穿孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，长度为4.1 mm，Ir反向电流为10 uA，阻抗最大值Zzt为15 Ohm，高度为2.6 mm，电流反向泄漏Vr为10μA@1V，配置为单一。
BZX85C3V9TR是DIODE ZENER 3.9V 1W DO41，包括5μA@1V电流反向泄漏Vr，设计用于在15欧姆阻抗最大Zzt下工作，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，工作温度范围为-65°C~200°C，包装箱设计用于DO-204AL、DO-41、轴向以及磁带和卷轴（TR）包装，该设备也可作为1W最大功率使用。此外，供应商设备包为DO-41，该设备提供±5%的容差，该设备具有1.2V@200mA的正向电压Vf Max If，电压齐纳标称Vz为3.9V。
