硅平面功率齐纳二极管
在高功率稳定和限幅电路中的应用
BZX85C12-TAP
- 描述:标称齐纳电压 (Vz): 12伏 最大功率: 1.3瓦 公差: ±5% 供应商设备包装: DO-204AL（DO-41） 工作温度: 175摄氏度
- 品牌: 威世半导体 (Vishay Cera-Mite)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 0.32013 | 0.32013 |
| 100+ | 0.24698 | 24.69830 |
| 500+ | 0.21366 | 106.83300 |
- 库存: 9707
- 单价: ¥0.32014
-
数量:
- +
- 总计: ¥0.32
在线询价
温馨提示: 请填写以下信息，以便客户代表及时与您沟通联系。
规格参数
- 部件状态 可供货
- 标称齐纳电压 (Vz) 12伏
- 制造厂商 威世半导体 (Vishay Cera-Mite)
- 公差 ±5%
- 安装类别 通孔
- 最大正向压降 (Vf) @ 正向工作电流 (If) -
- 最大功率 1.3瓦
- 包装/外壳 DO-204AL，DO-41，轴向
- 工作温度 175摄氏度
- 供应商设备包装 DO-204AL（DO-41）
- 反向漏电流 @ 直流反向电压 500 nA @ 9.1 V
- 最大阻抗值 (Zzt) 350欧姆
BZX85C12-TAP 产品详情
齐纳二极管1.3W，BZX85系列，Vishay半导体
BZX85C12-TAP 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | BZX79-C43113 | 安世半导体 (Nexperia) | BZX79-C43113 | ¥0.07098 |
| BZX884-B12315/BKN | 安世半导体 (Nexperia) | BZX884-B12315/BKN | ¥0.36215 |
| BZX884-C22315 | 安世半导体 (Nexperia) | BZX884-C22315 | ¥0.31876 |
| BZX884-B75315 | 安世半导体 (Nexperia) | BZX884-B75315 | ¥0.16659 |
| BZX84J-B4V3115 | 安世半导体 (Nexperia) | BZX84J-B4V3115 | ¥0.19556 |
| BZX79-C24113 | 安世半导体 (Nexperia) | BZX79-C24113 | ¥0.0985 |
| BZX79-C11113 | 安世半导体 (Nexperia) | DIODE ZENER 11V 0.4W DO-204AH | ¥0.13182 |
| BZX79-C4V7113 | 安世半导体 (Nexperia) | DIODE ZENER 4.7V 0.4W DO-204AH | ¥0.13182 |
 | BZX84B16LT1 | 安盛美 (onsemi) | DIODE ZENER 225MW 16V SOT23 | ¥0.14486 |
| BZX79-C6V8,143 | 恩智浦 (NXP) | DIODE ZENER 6.8V 400MW ALF2 | ¥0.14486 |
BZX85C12-TAP所属分类：单齐纳二极管，BZX85C12-TAP 由 威世半导体 (Vishay Cera-Mite) 设计生产，可通过久芯网进行购买。BZX85C12-TAP价格参考￥0.320136，你可以下载 BZX85C12-TAP中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询BZX85C12-TAP规格参数、现货库存、封装信息等信息！
威世半导体 (Vishay Cera-Mite)
Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体（二极管、MOSFET和光电子）和无源元件（电阻器、电感器和电容器）的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型...
