9icnet为您提供由onsemi设计和生产的MM3Z33VT3G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MM3Z33VT3G参考价格为0.02692美元。onsemi MM3Z33VT3G包装/规格：DIODE ZENER 33V 200MW SOD323。您可以下载MM3Z33VT3G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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MM3Z33VT1G是DIODE ZENER 33V 300MW SOD323，包括MM3Z36V系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.001164盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，高度设计为0.9 mm，长度1.7 mm，设备也可以用作1.25 mm宽度。此外，封装外壳为SC-76、SOD-323，其工作温度范围为-65°C~150°C，设备具有安装型表面安装，供应商设备封装为SOD-323。配置为单一，公差为±6%，功率最大值为300mW，电压齐纳标称Vz为33V，阻抗最大值Zzt为80欧姆，电流反向泄漏Vr为50nA@23.2V，正向电压Vf Max If为900mV@10mA，Pd功耗为300mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，Vz齐纳电压为33 V，电压容差为6%，电压温度系数为30.4 mV/K，齐纳电流为10 mA，Zz齐纳阻抗为80欧姆，Ir反向电流为50nA。
MM3Z33VT1是DIODE ZENER 33V 200MW SOD323，包括33V电压齐纳标称Vz，它们设计为在900mV@10mA电压正向Vf Max下工作。如果数据表备注中显示了公差，公差为±6%，提供了SOD-323等供应商设备包功能，最大功率设计为200MW，以及磁带和卷轴（TR）封装，该器件也可作为SC-76、SOD-323封装盒使用，其工作温度范围为-65°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有80欧姆的阻抗最大Zzt，电流反向泄漏Vr为50nA@23.2V。
MM3Z33VT1G 33V，带有ON制造的电路图。MM3Z33TT1G 33V采用SOD323封装，是Diodes-Zener-Single的一部分。
