9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的1N5231C-TAP，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N5231C-TAP参考价格$0.02992。Vishay General Semiconductor-Diodes Division 1N5231C-TAP封装/规格：DIODE ZENER 5.1V 500MW DO35。您可以下载1N5231C-TAP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N5231B-TR是DIODE ZENER 5.1V 500MW DO35，包括1N52xxB系列，它们设计为使用切割胶带（CT）替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.004409盎司，提供安装类型功能，如通孔，高度设计为1.7 mm，以及3.9 mm长度，设备也可以用作1.7 mm宽度。此外，封装外壳为DO-204AH、DO-35、轴向，该器件为通孔安装型，该器件具有DO-35供应商器件封装，配置为单一，公差为±5%，最大功率为500mW，电压齐纳标称Vz为5.1V，阻抗最大Zzt为17欧姆，电流反向泄漏Vr为5μa@2V，电压正向Vf Max If为1.1V@200mA，Pd功耗为500mW，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vz齐纳电压为5.1 V，电压容差为5%，电压温度系数为0.03%/K，齐纳电流为20 mA，Zz齐纳阻抗为17欧姆，Ir反向电流为5uA。
1N5231C是DIODE ZENER 5.1V 500MW DO35，包括17欧姆Zz齐纳阻抗，设计用于20 mA齐纳电流，宽度如数据表注释所示，用于1.91 mm，提供Vz齐纳电压特性，如5.1 V，电压齐纳标称Vz设计用于5.1V，以及2%电压容差，该设备也可以用作1.1V@200mA电压正向Vf Max If。此外，单位重量为0.004445 oz，该设备的公差为±2%，该设备具有DO-35供应商设备包，功率最大值为500mW，Pd功耗为500 mW，包装为散装交替包装，包装箱为DO-204AH，DO-35，轴向，它的工作温度范围为-65°C~200°C，安装方式为通孔，安装类型为通孔。它的最低工作温度范围是-65 C，最大工作温度范围+200 C，长度为4.56 mm，Ir反向电流为5 uA，阻抗最大Zzt为17 Ohm，高度为1.91 mm，电流反向泄漏Vr为5μA@2V，配置为单一。
1N5231BUR-1是DIODE ZENER 5.1V 500MW DO213AA，包括5μA@2V电流反向泄漏Vr，它们设计为在17欧姆阻抗最大Zzt下工作，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，其工作温度范围为-65°C ~ 175°C，包装箱设计为在DO-213AA以及散装包装中工作，该设备也可作为500mW最大功率使用。此外，供应商设备包为DO-213AA，该设备的容差为±5%，该设备具有1.1V@200mA的正向电压Vf Max If，电压齐纳标称Vz为5.1V。
