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BZX384C30-G3-08，带引脚细节，包括BZX384-G系列，它们设计用于小信号齐纳二极管产品，包装如数据表注释所示，用于磁带和卷轴（TR）替代包装，提供零件别名功能，如BZX384C30-V-G-08，单位重量设计为0.000141盎司，以及SMD/SMT安装样式，该器件也可作为SC-76、SOD-323封装盒使用，其工作温度范围为-55°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有供应商器件封装的SOD-323，配置为单一，容差为±5%，最大功率为200mW，电压齐纳标称Vz为30V，阻抗最大Zzt为80欧姆，电流反向泄漏Vr为50nA@21V，Pd功耗为200mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vz齐纳电压为30 V，电压容差为5%，电压温度系数为1 mV/C，Zz齐纳阻抗为30欧姆，Ir反向电流为50 nA。
BZX384C30-G3-18带用户指南，包括30欧姆Zz齐纳阻抗，它们设计用于30 V Vz齐纳电压，数据表注释中显示了用于30 V的电压齐纳标称Vz，提供5%的电压容差特性，电压温度系数设计用于1 mV/C，以及0.000141盎司的单位重量，该装置也可用作±5%公差。此外，供应商设备包为SOD-323，该设备为BZX384-G系列，该设备具有产品小信号齐纳二极管，最大功率为200mW，Pd功耗为200mW；零件别名为BZX384 C30-V-G-18，包装为胶带和卷轴（TR）交替包装，包装箱为SC-76、SOD-323、，它的工作温度范围为-55°C~150°C，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围-55°C，最大工作温度范围+150°C、Ir反向电流为50 nA，阻抗最大值Zzt为80 Ohm，反向漏电流Vr为50nA@21V，配置为单一。
BZX384C30-HE3-08带电路图，包括单一配置，设计用于在50nA@21V电流反向泄漏Vr下工作，阻抗最大Zzt如数据表注释所示，用于80欧姆，提供Ir反向电流特性，如20 uA，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该装置也可以用作表面安装型。此外，安装类型为SMD/SMT，其工作温度范围为-55°C~150°C，该器件具有SC-76、SOD-323封装盒，封装为胶带和卷轴（TR）交替封装，Pd功耗为200mW，最大功率为200mW；产品为小信号齐纳二极管，系列为BZX384，供应商器件封装为SOD-323，公差为±5%，单位重量为0.000152 oz，电压温度系数为1 mV/C，电压公差为5%，电压齐纳标称Vz为30V，Vz齐纳电压为30 V，Zz齐纳阻抗为30欧姆。
BZX384C30-HE3-18，带EDA/CAD型号，包括磁带和卷轴（TR）交替包装包装，它们设计用于表面安装安装型，供应商设备包如SOD-323中使用的数据表注释所示，提供SMD/SMT等安装型功能，产品设计用于小信号齐纳二极管，以及单一配置，该装置也可以用作SC-76、SOD-323封装盒。此外，该系列为BZX384，该器件提供80欧姆阻抗最大Zzt，其工作温度范围为-55°C~150°C，电流反向泄漏Vr为50nA@21V，电压容差为5%，电压齐纳标称Vz为30V，Vz齐纳电压为30V、Zz齐纳阻抗为30欧姆，最大功率为200mW，Pd功耗为200mW，Ir反向电流为20 uA，电压温度系数为1 mV/C，单位重量为0.000152 oz，公差为±5%，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C。
