9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的1N5230C-TAP，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N5230C-TAP价格参考$0.03520。Vishay General Semiconductor-Diodes Division 1N5230C-TAP封装/规格：DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35。您可以下载1N5230C-TAP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N5230B-TR是DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35，包括1N52xxB系列，它们设计用于切割胶带（CT）替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.004409盎司，提供安装类型功能，如通孔，高度设计用于1.7 mm，以及3.9 mm长度，设备也可以用作1.7 mm宽度。此外，封装外壳为DO-204AH、DO-35、轴向，该器件为通孔安装型，该器件具有DO-35供应商器件封装，配置为单一，公差为±5%，最大功率为500mW，电压齐纳标称Vz为4.7V，阻抗最大Zzt为19欧姆，电流反向泄漏Vr为5μa@2V，电压正向Vf Max If为1.1V@200mA，Pd功耗为500mW，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vz齐纳电压为4.7 V，电压容差为5%，电压温度系数为0.03%/K，齐纳电流为20 mA，Zz齐纳阻抗为19欧姆，Ir反向电流为5uA。
1N5230BUR-1是由Microsemi制造的齐纳二极管齐纳稳压器二极管。1N5230BUR-1在DO-213AA封装中提供，是二极管-齐纳-单体的一部分，并支持齐纳二极管齐纳稳压器二极管、二极管齐纳单体4.7V 5%500mW 2引脚DO-213A。
1N5230C，带有ON制造的电路图。1N5230CC在DO-35封装中提供，是Diodes-Zener-Single的一部分。
