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BZX84B36-G3-18带引脚细节，包括汽车、AEC-Q101系列，它们设计用于小信号齐纳二极管产品。数据表备注中显示了用于磁带和卷轴（TR）替代包装的包装，提供零件别名功能，如BZX84B36V-G-18，单位重量设计为0.000286盎司，以及SMD/SMT安装样式，该器件也可作为TO-236-3、SC-59、SOT-23-3封装盒使用，其工作温度范围为-55°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有供应商器件封装的SOT-23-2，配置为单一，公差为±2%，最大功率为300mW，电压齐纳标称Vz为36V，阻抗最大Zzt为90欧姆，电流反向泄漏Vr为50nA@25.2V，Pd功耗为300mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vz齐纳电压为36V，电压容差为2%，电压温度系数为1mV/C，Zz齐纳阻抗为90欧姆，Ir反向电流为50nA。
BZX84B36-HE3-08带有用户指南，包括90欧姆Zz齐纳阻抗，它们设计用于36 V Vz齐纳电压，数据表注释中显示了36V齐纳标称Vz，提供2%的电压容差特性，电压温度系数设计用于1 mV/C，以及0.000310盎司的单位重量，该装置也可用作±2%公差。此外，供应商设备包装为SOT-23-3，该设备为AEC-Q101系列汽车产品，该设备具有小信号齐纳二极管产品，最大功率为300mW，Pd功耗为300mW；包装为胶带和卷筒（TR）交替包装，包装箱为TO-236-3、SC-59、SOT-23-1，其工作温度范围为-55°C~150°C，安装类型为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Ir反向电流为50 nA，阻抗最大Zzt为90 Ohm，电流反向泄漏Vr为50 nA@25.2V，配置为单一。
BZX84B36-HE3-18，带电路图，包括单配置，设计用于在25.2V电流反向泄漏Vr下工作50nA，阻抗最大Zzt如数据表注释所示，用于90欧姆，提供Ir反向电流特性，如50nA、最大工作温度范围+150℃、最小工作温度范围-55℃，该装置也可以用作表面安装型。此外，安装类型为SMD/SMT，其工作温度范围为-55°C~150°C，该器件具有TO-236-3、SC-59、SOT-23-3封装盒，封装为胶带和卷轴（TR）交替封装，Pd功耗为300mW，最大功率为300mW；产品为小信号齐纳二极管，系列为汽车、AEC-Q101、，供应商设备包为SOT-23-3，公差为±2%，单位重量为0.000310盎司，电压温度系数为1 mV/C，电压公差为2%，电压齐纳标称Vz为36V，Vz齐纳电压为36V、Zz齐纳阻抗为90欧姆。
