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NZT902是TRANS NPN 90V 3A SOT-223，包括Digi-ReelR替代包装包装，它们设计用于NZT902_NL零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.006632盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装箱设计用于to-261-4、to-261AA以及表面安装安装类型，该设备也可以用作SOT-223-4供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备提供1W功率最大值，该设备具有晶体管型NPN，集电器Ic最大值为3A，集电器-发射极击穿最大值为90V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为80@1A、2V，Vce饱和最大值Ib Ic为600mV@300mA、3A，集电器截止最大值为100nA（ICBO），频率转换为75MHz，Pd功耗为1.2W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO Max为90 V，晶体管极性为NPN，集电极/发射极饱和电压为600 mV，集电极基极电压VCBO为120 V，且发射极基极电压VEBO为5V，且最大DC集电极电流为3A，且增益带宽积fT为75MHz，且连续集电极电流是-4A，且DC集电极基极增益hfe Min为70，且DC电流增益hfe Max为300。
NZT753是TRANS PNP 100V 4A SOT-223，包括0.006632 oz单位重量，它们设计用于PNP晶体管极性，Pd功耗如数据表注释所示，用于1.2 W，提供零件别名功能，如NZT753_NL，包装设计用于卷筒，以及SOT-223包装箱，该设备也可作为SMD/SMT安装类型使用，它的最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，该器件的最大直流集电极电流为4 a，增益带宽积fT为75 MHz，发射极基极电压VEBO为-5 V，直流电流增益hFE Max为300，直流集电极基极增益hFE Min为100，连续集电极电流是-4 a，并且配置为单，集电极-发射极电压VCEO Max为-100 V，集电极/发射极饱和电压为-0.3 V，集极基极电压VCBO为-120 V。
NZT902T1G，带有ON制造的电路图。NZT902T1 G采用SOT223封装，是IC芯片的一部分。
