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MMSZ5239C-G3-08带有引脚细节,包括汽车、AEC-Q101系列,它们设计用于小信号齐纳二极管产品。数据表备注中显示了用于磁带和卷轴(TR)替代包装的包装,提供零件别名功能,如MMSZ5239C-V-G-08,单位重量设计为0.000363盎司,以及SMD/SMT安装样式,该装置也可作为SOD-123封装盒使用,其工作温度范围为-55°C~150°C,该装置为表面安装型,该装置具有供应商装置封装的SOD-123,配置为单一,公差为±2%,最大功率为500mW,电压齐纳标称Vz为9.1V,阻抗最大Zzt为10欧姆,电流反向泄漏Vr为3μA@7V,Pd功耗为500 mW,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,Vz齐纳电压为9.1 V,电压容差为2%,电压温度系数为0.068%/C,Zz齐纳阻抗为10欧姆,Ir反向电流为3 uA。
MMSZ5239C-G3-18,带有用户指南,包括10欧姆Zz齐纳阻抗,它们设计用于9.1 V Vz齐纳电压,数据表注释中显示了电压齐纳标称Vz,用于9.1V,提供2%等电压容差特性,电压温度系数设计用于0.068%/C,以及10300 mg单位重量,该装置也可用作±2%公差。此外,供应商设备包为SOD-123,该设备提供汽车AEC-Q101系列,该设备具有小信号齐纳二极管产品,最大功率为500mW,Pd功耗为500mW;零件别名为MMSZ5239C-V-G-18,包装为胶带和卷筒(TR)交替包装,包装箱为SOD-13,它的工作温度范围为-55°C~150°C,安装方式为SMD/SMT,安装类型为表面安装,最小工作温度范围-55°C,最大工作温度范围+150 C,Ir反向电流为3 uA,阻抗最大值Zzt为10欧姆,反向漏电流Vr为3μA@7V,配置为单一。
MMSZ5239C-HE3-08带有电路图,包括单一配置,它们设计为在3μa@7V电流反向泄漏Vr下工作,阻抗最大Zzt如数据表注释所示,用于10欧姆,提供Ir反向电流功能,如3 uA,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,该装置也可以用作表面安装型。此外,安装类型为SMD/SMT,其工作温度范围为-55°C~150°C,该器件具有SOD-123封装盒,封装为磁带和卷轴(TR)交替封装,Pd功耗为500mW,最大功率为500mW;产品为小信号齐纳二极管,系列为汽车AEC-Q101,供应商器件封装为SOD-123,公差为±2%,单位重量为0.000363盎司,电压温度系数为0.068%/C,电压公差为2%,电压齐纳标称Vz为9.1V,Vz齐纳电压为9.1 V,Zz齐纳阻抗为10欧姆。
MMSZ5239C-HE3-18,带EDA/CAD模型,包括磁带和卷轴(TR)交替包装包装,它们设计用于表面安装安装类型,封装盒如数据表注释所示,用于SOD-123,提供SOD-123等供应商设备封装功能,安装样式设计用于SMD/SMT,以及小信号齐纳二极管产品,该设备也可以用作单一配置。此外,该系列为AEC-Q101汽车系列,该器件提供9.1V电压齐纳标称Vz,该器件具有9.1V的Vz齐纳电压,其工作温度范围为-55°C~150°C,最大功率为500mW,Pd功耗为500mW;电流反向泄漏Vr为3μa@7V,Ir反向电流为3μa,电压容差为2%,Zz齐纳阻抗为10欧姆,阻抗最大值Zzt为10欧姆;电压温度系数为0.068%/C;单位重量为0.000363盎司,公差为±2%;最大工作温度范围为+150℃,最小工作温度范围-55℃。