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BZX84B16LT1G是DIODE ZENER 16V 225MW SOT23-3，包括BZX84B16系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.007090盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，高度设计为0.94 mm，长度为2.9 mm，设备也可以用作1.3 mm宽。此外，包装箱为TO-236-3、SC-59、SOT-23-3，其工作温度范围为-55°C~150°C，设备具有安装型表面安装，供应商设备包装为SOT-23-2（TO-236），配置为单一，公差为±2%，最大功率为225mW，电压齐纳标称Vz为16V，阻抗最大Zzt为40欧姆，电流反向泄漏Vr为50nA@11.2V，电压正向Vf Max If为900mV@10mA，Pd功耗为300mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，Vz齐纳电压为16V，电压容差为2%，电压温度系数为12.2mV/K，Zz齐纳阻抗为40欧姆，Ir反向电流为50nA。
BZX84B16-HE3-08带用户指南，包括40欧姆Zz齐纳阻抗，它们设计用于16V Vz齐纳电压，数据表注释中显示了16V电压齐纳标称Vz，提供2%的电压容差特性，电压温度系数设计用于0.95 mV/C，以及0.000310盎司单位重量，该装置也可用作±2%公差。此外，供应商设备包装为SOT-23-3，该设备为AEC-Q101系列汽车产品，该设备具有小信号齐纳二极管产品，最大功率为300mW，Pd功耗为300mW；包装为胶带和卷筒（TR）交替包装，包装箱为TO-236-3、SC-59、SOT-23-1，其工作温度范围为-55°C~150°C，安装类型为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Ir反向电流为50 nA，阻抗最大Zzt为40 Ohm，电流反向泄漏Vr为50 nA@11.2V，配置为单一。
BZX84B16-HE3-18带电路图，包括单一配置，设计用于在50nA@11.2V电流反向泄漏Vr下工作，阻抗最大Zzt如数据表注释所示，用于40欧姆，提供Ir反向电流特性，如50nA，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该装置也可以用作表面安装型。此外，安装类型为SMD/SMT，其工作温度范围为-55°C~150°C，该器件具有TO-236-3、SC-59、SOT-23-3封装盒，封装为胶带和卷轴（TR）交替封装，Pd功耗为300mW，最大功率为300mW；产品为小信号齐纳二极管，系列为汽车、AEC-Q101、，供应商设备包为SOT-23-3，公差为±2%，单位重量为0.000310盎司，电压温度系数为0.95 mV/C，电压公差为2%，电压齐纳标称Vz为16V，Vz齐纳电压为16V、Zz齐纳阻抗为40欧姆。
BZX84-B16LT1G带有ON制造的EDA/CAD模型。BZX84-B16LT1G采用SOT23封装，是Diodes-Zener-Single的一部分。
