9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的MMBZ5225BT-7-F，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MMBZ5225BT-7-F参考价格$0.08096。Diodes Incorporated MMBZ5225BT-7-F包装/规格：DIODE ZENER 3V 150MW SOT523。您可以下载MMBZ5225BT-7-F英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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MMBZ5225BLT1G是DIODE ZENER 3V 225MW SOT23-3，包括MMBZ5225B系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.007090盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，高度设计为0.94 mm，长度为2.9 mm，设备也可以用作1.3 mm宽。此外，包装箱为TO-236-3、SC-59、SOT-23-3，其工作温度范围为-65°C~150°C，设备具有安装型表面安装，供应商设备包装为SOT-23-2（TO-236），配置为单一，公差为±5%，最大功率为225mW，电压齐纳标称Vz为3V，阻抗最大Zzt为29欧姆，电流反向泄漏Vr为50μA@1V，正向电压Vf Max If为900mV@10mA，Pd功耗为300mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，Vz齐纳电压为3 V，电压容差为5%，齐纳电流为10 mA，Zz齐纳阻抗为29欧姆，Ir反向电流为50uA。
MMBZ5225BS-7-F是二极管齐纳阵列3V SOT363，包括30欧姆Zz齐纳阻抗，其设计工作宽度为1.35 mm，Vz齐纳电压如数据表注释所示，用于3V，提供电压齐纳标称Vz特性，如3V，电压容差设计工作在5%，以及900mV@10mA电压正向Vf Max If，该装置也可以用作0.000212盎司单位重量。此外，公差为±5%，该器件采用SOT-363供应商器件封装，该器件具有MMBZ5225系列，最大功率为200mW，Pd功耗为200mW。封装采用Digi-ReelR交替封装，封装外壳为6-TSSOP、SC-88、SOT-363，工作温度范围为-65°C~150°C，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围为-65 C，最大工作温度范围+150 C，长度为2.2 mm，Ir反向电流为50 uA，阻抗最大值Zzt为30 Ohm，高度为1 mm，电流反向泄漏Vr为50μA@1V，配置为2独立。
MMBZ5225BS-7是DIODE ZENER ARRAY 3V SOT363，包括2个独立配置，它们设计为在50μa@1V电流反向泄漏Vr下工作，阻抗最大Zzt如数据表注释所示，用于30欧姆，提供表面安装等安装类型功能，其工作温度范围为-65°C~150°C，以及6-TSSOP，SC-88，SOT-363包装箱，该设备也可以用作胶带和卷轴（TR）包装。此外，最大功率为200mW，该器件采用SOT-363供应商器件包提供，该器件具有±5%的容差，电压正向Vf Max If为900mV@10mA，电压齐纳标称Vz为3V。
